サムスン電子期末決算が示す「AIメモリ優先」の投資地図 52.7兆ウォン設備投資と拠点戦略、そして日本企業の論点を探る
2026年1月29日、Samsung Electronics（サムスン電子）は2025年通期（FY2025）および第4四半期（4Q25）の連結決算を公表した。通期売上高は333.6兆ウォン、営業利益
Korea Instrumentに見る「プローブカード」競争の現在地――HBM量産で“テスト部材”が供給力を規定し始めた
生成AI向け半導体の増産においては、前工程の投資だけでなく、ウエハ段階のテスト工程が量産能力（出荷可能量）を左右しやすい。HBM（High Bandwidth Memory）や先端ロジックでは、微細
2026年1月版 半導体エンジニア向けレポート
今月は「CES 2026」での発表を中心に、AIインフラの実装（帯域・電力・製造能力配分）に関する論点が前面化しました。特に「HBM4」の具体化、シリコンフォトニクスへの注目、そして製造プロセスの先
オキサイド発「溶液法SiC」始動──8インチ対応が動かす次の基板競争
2025年9月25日、日本の単結晶・光部品・レーザ光源・光計測装置などを開発・製造・販売する企業、オキサイドと子会社オキサイドパワークリスタルは、名古屋大学らと共同で「溶液成長法（液相成長法）」によ
オンセミが切り拓く「縦型GaN時代」――AI・EV・再エネを支える高電圧パワー半導体の新潮流
2025年10月、米国の半導体大手Onsemi（オンセミ）が「縦型GaN（vGaN）パワー半導体」の開発を発表した。従来のGaNデバイスで課題とされてきた高電圧対応や熱・損失管理、電力密度向上に対し
東大と住友電工、“6G向けGaN”実現で一歩前進！──高周波デバイスの性能向上に光明
2025年7月、東京大学大学院工学系研究科と住友電気工業は、新しい窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明したと発表した。対象となったのは、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガ
GFシンガポールが「第4次産業革命をリードする工場」に選ばれたわけとは！？
2025年9月16日、GlobalFoundries（GF）のシンガポール工場「Fab 7」が、世界経済フォーラム（WEF）のGlobal Lighthouse Network（GLN：製造業で第4
夜でも逆光でも識別できる”——スマートカメラが導く半導体の次世代設計
ドライブレコーダや見守りカメラは、逆光、夜間、LED点滅、被写体の高速移動での撮影が主になる。その際、被写体のナンバー、顔、動線がくっきりと「読める」ように撮影できるかどうかが、その製品の製品価値に
Lam Researchが切り拓く3D構造時代 Etch＆Dep装置の革新の数々
デバイス構造の3次元化は、今や半導体産業の主戦場と言える。3D NANDはすでに300層を超え、さらなる高密度化に向けて1,000層を視野に入れた開発が加速している。ロジック側でもFin FETの限
微細化限界に挑むSCREENの「SU-3400」 ウェハ洗浄が支える次世代デバイス製造の要素技術とは
サブ10nm世代に突入した現在、半導体の製造工程ではこれまで以上に高精度な洗浄が求められている。特に注目されているのが、露光・エッチング後に行われる「ウェハ洗浄」工程だ。 (さらに&hell
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