TSMCの「A13」が告げる1nm台競争――微細化は終わらない、AI時代のプロセスロードマップを読む
2026年4月22日、TSMCは米カリフォルニア州サンタクララで開催された「2026 North America Technology Symposium」で、新たな先端プロセス「A13」を発表した
SEMICON.TODAY 特別インタビュー 半導体は、世界のエネルギー問題を解決できるか
──京都発ベンチャーPatentixが挑む「究極の半導体材料」r-GeO₂の可能性【インタビュイー】 Patentix株式会社 代表取締役社長 衣斐 豊祐 氏 Patentix株式会社 概要
High-NA量産準備本格始動！――フォトマスク周辺技術の重みが増す
High-NA EUV（高NA極端紫外線）については、とかく露光装置そのものに注目が集まりやすい。もっとも、2025年末から2026年3月までの各社の発表を並べると、量産準備の焦点は装置単体ではなく
熊本が勝つには何が必要！？──電力・水・住宅・物流が決める“量産キャパシティ”の現実
熊本県は、産業インフラの整備状況がクローズアップされている。その中心となっているのがTSMCの進出や最新工場の新設で、それは域経済や雇用・技術革新への影響まで及んでいる。半導体投資は、プロセ
サムスン電子期末決算が示す「AIメモリ優先」の投資地図 52.7兆ウォン設備投資と拠点戦略、そして日本企業の論点を探る
2026年1月29日、Samsung Electronics（サムスン電子）は2025年通期（FY2025）および第4四半期（4Q25）の連結決算を公表した。通期売上高は333.6兆ウォン、営業利益
Korea Instrumentに見る「プローブカード」競争の現在地――HBM量産で“テスト部材”が供給力を規定し始めた
生成AI向け半導体の増産においては、前工程の投資だけでなく、ウエハ段階のテスト工程が量産能力（出荷可能量）を左右しやすい。HBM（High Bandwidth Memory）や先端ロジックでは、微細
2026年1月版 半導体エンジニア向けレポート
今月は「CES 2026」での発表を中心に、AIインフラの実装（帯域・電力・製造能力配分）に関する論点が前面化しました。特に「HBM4」の具体化、シリコンフォトニクスへの注目、そして製造プロセスの先
オキサイド発「溶液法SiC」始動──8インチ対応が動かす次の基板競争
2025年9月25日、日本の単結晶・光部品・レーザ光源・光計測装置などを開発・製造・販売する企業、オキサイドと子会社オキサイドパワークリスタルは、名古屋大学らと共同で「溶液成長法（液相成長法）」によ
オンセミが切り拓く「縦型GaN時代」――AI・EV・再エネを支える高電圧パワー半導体の新潮流
2025年10月、米国の半導体大手Onsemi（オンセミ）が「縦型GaN（vGaN）パワー半導体」の開発を発表した。従来のGaNデバイスで課題とされてきた高電圧対応や熱・損失管理、電力密度向上に対し
東大と住友電工、“6G向けGaN”実現で一歩前進！──高周波デバイスの性能向上に光明
2025年7月、東京大学大学院工学系研究科と住友電気工業は、新しい窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明したと発表した。対象となったのは、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガ
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