プロジェクト／プログラム
EUV散乱計測
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概要
集積回路（IC）チップ上に印刷される最小のパターンの測定と検査における最先端技術は、電子走査モダリティと光学的手法である散乱計測を組み合わせたものです。散乱計測は、数百万個のデバイスの平均パターンサイズに関するモデリングと逆回帰分析を通じて、業界に定量的な情報を提供します。このプロジェクトでは、散乱計測を用いて、革新的な極端紫外線（EUV）光学系、卓上光源、そして検査およびプロセス制御のための手法を開発することで、先端IC製造に貢献します。グランドチャレンジ2. 未来のマイクロエレクトロニクス製造のための先進計測技術
概要
提供元：
NIST
画像情報
ICチップ上に印刷される極小のパターンを測定・検査するために、研究者や製造業者は、電子走査型電子顕微鏡（透過型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡）と光学的手法である散乱計測法を組み合わせて用いています。工業的には、散乱計測法として最も一般的な手法は分光エリプソメトリー（SE）であり、構造物から反射された光の偏光状態の変化を波長の関数として分析します。近赤外、可視光、深紫外の波長を利用する散乱計測法は、電子走査型電子顕微鏡法に比べて高速、非破壊、そして比較的低コストです。現在、10nm未満の幅の半導体パターンを散乱計測法で特性評価することは困難であり、新材料や歪み工学が複雑なナノメートルスケールの3Dデバイス形状に組み込まれるにつれて、測定の課題は著しく増大します。将来の半導体デバイスを測定するためには、可視光および紫外線波長を超えて、10nmから150nmのスペクトル領域まで測定できる散乱計測法の革新が産業界に求められています。各次元における10倍の空間分解能と、より短波長での材料透過能力を組み合わせることで、このプロジェクトは高速光学技術によって収集される情報を1000倍に増加させ、これらの技術を米国の半導体産業に移転することになります。
エレクトロニクス、半導体、計測
組織
NIST本部 米国向け半導体生産への有益なインセンティブ創出（CHIPS）CHIPS研究開発プログラムオフィス 半導体計測・特性評価オフィス ラボプログラム 材料計測ラボ 材料科学・工学部門 ポリマープロセッシンググループ 物理計測ラボ センサー科学部門 リモートセンシンググループ 光放射グループ 表面・界面計測グループ ナノスケールデバイス特性評価部門 先端エレクトロニクスグループ
NIST職員
ブライアン・バーンズ
マーティン・ゾーン
トーマス・A・ガーマー
ステファニー・モフィット
スティーブン・グランサム
ダニエル・サンデー
エリック・L・シャーリー
プルニマ・バラクリシュナン
コルトン・ダドリー
アーロン・チュー
連絡先
ブライアン・バーンズ
bryan.barnes@nist.gov
(301) 975-3947
日程
開始：2023年10月
プロジェクトの状況
進行中
関連ニュース
CHIPS新報告書：半導体分野における計測の大きな課題を解説
関連出版物
EUVにおける分光エリプソメトリーおよび回折測定装置の開発
その他のプロジェクト
CHIPS for America計測プログラム
顧客／貢献者／協力者
半導体チップメーカーおよびテクノロジー企業、計測機器ベンダー、光学機器ベンダー、学術研究者、検査機器メーカー
作成日：2024年3月23日、更新日：2025年9月30日
出典: 元記事を読む
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