2025年、本格展開予定のASML製「High NA（高開口数）EUV露光装置」。この新技術は高性能チップの単一パターニング（多重露光なし）を実現し、半導体微細化における“コスト×精度”のブレークスルーとなる。これに伴い、従来のNA=0.33系では限界が見えつつあったフォトレジストが、NA=0.55の世界に適応すべく、世界中の材料ベンダーが競争を加速させている。
High NA EUV とは、開口数（Numerical Aperture）を0.55まで高めた次世代露光技術で、解像度を従来比で約1.7倍向上させるとされる。ASMLは2025年の量産装置出荷を目指しており、それに対応する新たなレジスト材料の開発が、半導体製造のボトルネックを握る重要課題となっている。
（参考：ASMLのHigh NA EUVロードマップ）
本記事では、High NA対応に先行する“レジスト（光を感光する材料）”開発の最新動向を、日米の主要プレイヤーごとに軸に解説し、技術的優位性と今後の展望を考察する。
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