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同社は、AI向けにパフォーマンス(P)、帯域幅(B)、密度(D)のそれぞれに最適化されたNANDソリューション製品で構成される「AINファミリー」を発表しました。
SK hynixは、「AIN B」（HBF製品）エコシステムの拡大を目的とした「HBFナイト」を開催し、世界中の大手IT企業の代表者らが出席しました。
同社は、顧客やパートナーと緊密に連携し、次世代NANDストレージ市場の主要プレーヤーを目指します。
ソウル、2025年10月27日
SK hynix Inc.（以下「当社」、www.skhynix.com）は本日、10月13日から16日までカリフォルニア州サンノゼで開催された「2025 OCP（Open Compute Project）グローバルサミット」において、次世代NANDストレージ製品戦略を発表したことを発表しました。
SK hynixは、AI推論市場の急速な成長に伴い、大容量データを迅速かつ効率的に処理できるNANDストレージ製品の需要が飛躍的に増加していると述べています。同社は、AI時代に最適化されたソリューション製品ラインナップ「AIN（AI-NAND）ファミリー」を確立することで、顧客ニーズに応えていきます。
eSSD製品開発責任者のキム・チュンソン氏がAINラインナップについて説明
SK hynixのeSSD製品開発責任者であるキム・チュンソン氏は、イベント2日目のエグゼクティブセッションでAINファミリーについて説明しました。
AINファミリーは、パフォーマンス、帯域幅、密度のそれぞれに最適化されたNANDソリューション製品で構成されており、データ処理速度とストレージ容量の向上を目的として設計されています。
AIN P（パフォーマンス）は、大規模なAI推論ワークロードで生成される大容量データを効率的に処理するためのソリューションです。この製品は、ストレージとAI処理間のボトルネックを最小限に抑えることで、処理速度と電力効率を大幅に向上させます。 SK hynixは、新構造のNANDとコントローラーを設計しており、2026年末までにサンプル出荷を開始する予定です。
AIN D（Density）は、AIデータの保存に適した低消費電力・低コストで大容量データを保存できる高密度ソリューションです。同社は、現行のQLC1ベースSSDのテラバイト（TB）レベルからペタバイト（PB）レベルへの高密度化を目指し、SSDの速度とHDDのコスト効率を両立したミッドエンドストレージソリューションを目指しています。
1QLC：NANDフラッシュは、1つのセルに格納できるデータビット数に応じて、シングルレベルセル（SLC）、マルチレベルセル（MLC）、トリプルレベルセル（TLC）、QLC、ペンタレベルセル（PLC）に分類されます。情報記憶容量が増加するほど、同じ容量でより多くのデータを保存できます。
AIN B（Bandwidth）は、HBFTM2テクノロジーを活用したSK hynixのソリューションです。この製品は、複数のNANDを垂直に積層することで帯域幅を拡張します。
2HBF（High Bandwidth Flash）：DRAMダイを積層するHBMと同様に、HBFは複数のNANDフラッシュを垂直に積層した製品です。
SK hynix、OCP Global Summit 2025でプレゼンテーションを実施
世界トップレベルのHBM開発・生産能力を持つSK hynixは、AI推論の拡大とLLM3のスケールアップに伴うメモリ容量ギャップに対応するため、初期段階からAIN Bの研究に取り組んできました。鍵となるのは、HBMの積層構造と、高密度でコスト効率の高いNANDフラッシュを組み合わせることです。SK hynixは、HBMとの併用によりシステム全体の容量を向上させるなど、AIN Bの様々な戦略を検討しています。
3LLM（Large Language Model）：大規模なデータセットで学習された、自然言語処理タスクを理解・生成するAIモデル。
SK hynixは、8月にHBF標準化に関する覚書（MOU）を締結したサンディスクと共同で「HBF Night」を開催し、技術エコシステムの拡大を目指しました。イベントは14日、OCP Global Summit会場近くのThe Tech Interactiveで開催されました。
イベントでは、国内外の講師陣によるパネルディスカッションが開催され、多数の業界アーキテクト4やエンジニアが参加しました。イベントでは、NANDストレージ製品のイノベーションを加速させるための業界横断的な協業が提案されました。
4アーキテクト：半導体、システム設計の専門家
「OCP Global SummitとHBF Nightを通じて、急速に進化するAI市場で活躍するグローバルAIメモリソリューションプロバイダーとしてのSK hynixの現状と未来を示すことができました」と、社長兼最高開発責任者のアン・ヒョン氏は述べています。「次世代NANDストレージ市場において、SK hynixはお客様やパートナーと緊密に連携し、キープレーヤーとなることを目指します。」
SK hynix Inc.について
韓国に本社を置くSK hynix Inc.は、世界トップクラスの半導体サプライヤーであり、世界中の幅広い顧客向けにダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）チップとフラッシュメモリ（NANDフラッシュ）チップを提供しています。同社の株式は韓国証券取引所に上場されており、グローバル預託証券はルクセンブルク証券取引所に上場されています。SK hynixに関する詳細は、www.skhynix.comおよびnews.skhynix.comをご覧ください。
報道関係連絡先
SK hynix Inc. グローバル広報
技術リーダー：Minseok Jang、Sooyeon Lee、Kanga Kong Eメール：global_pr@skhynix.com
出典: 元記事を読む
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