チップメーカーは、ムーアの法則を継続的に実現するために、ロジック、メモリ、ストレージの3D構造化へと移行しています。しかし、これらのチップアーキテクチャには、アスペクト比（デバイスの高さと幅の比）の上昇など、付随する課題が伴います。
ラム社グローバル製品グループのコンダクタエッチング担当コーポレートバイスプレジデントであるGowri Kamarthy氏は、先日Counterpoint社のRoss Young氏にインタビューを行い、ラム社、特に当社の新製品Akaraがこれらの課題にどのように取り組んでいるかについて説明しました。
インタビューの中でGowri氏は、Akaraはプラズマエッチングにおける制御と精度を向上させる独自の技術で構成されていると述べています。これらの技術には、業界初のソリッドステートプラズマ源であるDirectDrive®が含まれます。DirectDrive®は、従来のシステムよりも100倍速くプラズマ状態の変化に反応し、EUVパターニングにおける欠陥を大幅に低減します。
さらに、TEMPO（時間・エネルギー多重化パルス動作）は、プラズマ種に対する制御を強化し、複雑なウェーハトポグラフィー全体にわたって均一性を維持します。最後に、SNAP（Shaped Nanosecond Advanced Pulsing）は原子レベルのイオンエネルギー制御を実現し、エンジニアが高精度なエッチングプロファイルを形成できるようにします。
1,000層NAND、超高密度4F² DRAM、高度なGAA/CFETロジックといった最先端のメモリおよびロジックアーキテクチャにおいて、Akaraが「一世代に一度の」イノベーションである理由について、ビデオをご覧ください。
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