アルテミスIIで再証明されたインフィニオンの宇宙向け半導体信頼性

この記事を読むのにかかる時間： 4 分

この記事のポイント

• インフィニオンの放射線耐性半導体は、NASAのアルテミスIIミッションで10日間の宇宙飛行中に完璧な性能を発揮しました。
• 1970年代から続くインフィニオンの放射線耐性技術は、数百もの宇宙ミッションで信頼性が証明されています。
• 世界初のJANS認定・自社製造放射線耐性窒化ガリウム（GaN）トランジスタにより、インフィニオンは宇宙用半導体のベンチマークを確立しました。

アルテミスIIミッションにおけるインフィニオンの貢献

ドイツ・ミュンヘン – 2026年4月15日 – NASAのアルテミスIIミッションは、10日間の宇宙飛行を終え、月へ接近し、有人宇宙飛行としては史上最も遠い距離に到達した後、無事地球に帰還しました。4名の宇宙飛行士は無事に帰還し、インフィニオン・テクノロジーズAG（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）の放射線耐性（rad-hard）半導体ソリューションが、深宇宙という極限環境下でも信頼性の高い性能を発揮することを改めて証明しました。オライオン宇宙船の電子基盤の中核を支えたのは、IR HiRel（高信頼性）部門のインフィニオン製放射線耐性デバイスであり、重要な電源供給・制御システムからデータ通信に至るまで、幅広い用途に貢献しました。

宇宙業界の進化と半導体の重要性

「宇宙プログラムでは、数十年間信頼できる技術とパートナーシップが求められます。インフィニオンは重要な技術パートナーであり、歴史的な宇宙ミッションの成功に再び貢献できたことを誇りに思います」と、インフィニオンのIR HiRel担当シニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるマイク・ミルズは述べています。「宇宙業界は急速に進化しています。ミッションの増加、データ量の増大、電化の進展が進む一方で、サイズ、重量、消費電力に対する圧力も増しています。この状況において、半導体は宇宙分野で中心的な役割を果たすようになっています。アルテミスIIミッションの開始から終了まで、当社のコンポーネントが完璧に機能したことは偶然ではありません。それは、数十年にわたるエンジニアリングの専門知識、最先端の認定プロセス、そして宇宙で半導体が何を達成すべきかという深い理解の結果です。」

インフィニオンの宇宙分野における長年の実績

アルテミスIIは、インフィニオンの宇宙分野における数十年にわたる実績を示しています。1970年代初頭には、インフィニオンの前身企業がNASAおよびESAの宇宙プログラム向けに最初の放射線耐性コンポーネントを供給しました。以来、インフィニオンIR HiRelは、ナビゲーション衛星、国際宇宙ステーション（ISS）、そして今日のアルテミス計画を含む数百の宇宙ミッションを支援してきました。当社の放射線耐性コンポーネントは、地球から200億キロメートル以上を旅し、他のどの人工物よりも遠くまで到達しています。テクノロジーリーダーとして、インフィニオンは、世界中の宇宙設計コミュニティをサポートする、最高の性能を発揮する放射線耐性半導体の開発・製造に投資を続けています。

宇宙における半導体への要求とインフィニオンのソリューション

宇宙における半導体には、極めて高い要求が課せられます。地球の保護磁場を越えると、高エネルギー粒子は電子コンポーネントに無防備に衝突し、永続的な損傷や破壊を引き起こし、ミッションの失敗につながる可能性があります。インフィニオンの放射線耐性技術は、受動的なシールドではなく、設計段階から放射線に強い半導体アーキテクチャによってこれらの課題に対処しています。すべての製品は、MIL-PRF-38535 Class V、MIL-PRF-19500、ESAのESCC規格、NASA EEE-INST-002を含む最も厳格な国際宇宙規格に認定されており、信頼性の高い性能を保証しています。

システムレベルでのイノベーションと性能向上

インフィニオンでは、半導体技術、放射線耐性保証、パッケージングが一体となって機能する、システムレベルでのイノベーションを開発しています。最適化された全体システムは、電気的性能だけでなく、熱的挙動や長期信頼性にも影響を与え、同時に重量と体積を削減します。宇宙では1グラムの重さが重要であり、インフィニオンの放射線耐性部品は、システムレベルで決定的な優位性をもたらします。

広帯域ギャップ技術：GaNの次なるステップ

インフィニオンは、宇宙アプリケーションにおける新しい半導体材料の活用も推進しています。窒化ガリウム（GaN）は、スイッチング損失の低減、電力密度の向上、スイッチング周波数の向上を可能にし、電力損失と磁性部品の要件を削減し、さらなる軽量化につながります。社内製造能力とそれに伴うプロセスおよび品質の安定性に基づいて構築された、インフィニオンの受賞歴のある放射線耐性100V GaNトランジスタは、MIL-PRF-19500に準拠したJANS（Joint Army Navy Space）認定を取得しており、GaNを要求の厳しい宇宙ミッション向けの概念から実証済み技術へと進化させています。インフィニオンのJANS認定デバイスは、市場で最初で唯一の自社製造放射線耐性GaNトランジスタです。

包括的なポートフォリオと戦略的パートナーシップ

インフィニオンは、SiパワーMOSFETやGaNトランジスタ、ゲートドライバ、ソリッドステートリレーに加え、放射線耐性メモリやRF（高周波）デバイスを含む、広範な放射線耐性ポートフォリオを提供しています。社内での放射線試験能力と保証された長期製品供給により、インフィニオンは単なる部品サプライヤーではなく、宇宙産業全体の戦略的技術パートナーとしての地位を確立しています。

出典: 元記事を読む