デバイス構造の3次元化は、今や半導体産業の主戦場と言える。3D NANDはすでに300層を超え、さらなる高密度化に向けて1,000層を視野に入れた開発が加速している。ロジック側でもFin FETの限界を超える新構造、Gate-All-Around（GAA）の導入が進んでいる。
こうした超多層・ナノ構造時代では、「精度」「選択性」「深さ」といった従来以上に厳しいプロセス要件が求められる。そのなかで、重要となるのがEtch（エッチング）とDep（成膜）の技術革新だ。これが、構造進化の鍵を握っていると言える。
こうした状況の中、エッチング装置のLam Researchはこのような要求に応えるべく、極低温エッチング（Cryo Etch）、選択成膜（Selective Deposition）、高選択エッチング（Selective Etch）といった次世代装置群を市場に展開しはじめている。そして今や超多層構造時代を牽引する存在となっているのだ。本稿ではLam Researchの装置技術を紹介し、それが今後の3D構造時代をどう切り拓いていくかを考察する。
続きを読むには・・・業界の第一線で役立つ情報を、
無料会員限定で公開中。
会員登録して読む（無料）