次世代パワーデバイスの放熱設計：熱管理技術の進化
次世代パワーデバイスの進化と放熱課題パワー半導体は、エネルギー効率の向上とカーボンニュートラル実現の鍵を握る重要な技術である。特に次世代パワーデバイスとして注目されるSiC（シリコンカーバイ
ワイドバンドギャップ半導体の実力：高電圧・高効率化の鍵を握る材料技術
次世代パワー半導体の主役とは？半導体技術の進化に伴い、電力変換の効率向上と高電圧動作を可能にする材料としてワイドバンドギャップ（WBG）半導体が注目されている。特に、**SiC（シリコンカー
絶縁型 vs 非絶縁型：パワーモジュールの設計最適化とは？
パワーモジュール設計における選択の重要性パワー半導体は電力変換効率の向上とエネルギー消費削減を実現する重要な技術であり、その中核を担うのがパワーモジュールである。パワーモジュールの設計におい
パワーデバイスのスイッチングロスと効率向上の最新技術
パワーデバイスの進化とエネルギー効率の追求パワーデバイスは、電力変換や制御に不可欠な半導体素子であり、その性能向上はエネルギー効率化に直結します。特に、スイッチングロスの低減は、電力損失を
加速するAI 半導体（GPU）市場 その成長要因とマイナス要因を分析！
AI 半導体市場の急成長とその背景 近年、AI 技術の進化により、AI 半導体市場は急成長を遂げている。 中でも GPU（Graphics Processing Unit）は、AI モデルの
28nmの先に進めない？レガシープロセスの限界とその打開策とは
未来が不透明なレガシー半導体 近年、半導体業界ではレガシープロセス（特に 28nm以上のノード）の重要性が再評価されている。大手ファウンドリである台湾のTSMC(台湾積体電路製造股份有限公司
