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インテル AI サミット ソウル 2025：SK hynix、AIメモリとグローバル技術リーダーシップを強調
2025年7月25日
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SK hynixは、7月1日に開催されたインテル AI サミット ソウル 2025において、高性能AIサーバーおよびストレージシステム向けの画期的なメモリソリューションを展示し、業界におけるグローバルリーダーシップを実証しました。
インテル AI サミットは、インテルが年間を通して世界24の主要都市で開催するイベントで、AI業界の可能性と将来戦略について議論するプラットフォームを提供しています。今年のソウルでのサミットでは、AI技術の最新動向と革新的な応用事例に焦点を当てるとともに、業界全体におけるAI開発の方向性を探りました。
SK hynixブースを訪れた来場者：同社の業界をリードするメモリソリューションについて説明
「フルスタックAIメモリプロバイダー」をテーマにした展示ブースで、SK hynixはAIイノベーションをリードするメモリ製品と技術を披露しました。個性的なキャラクターを起用した目を引くブースデザインは、業界をリードする同社の多様な製品ポートフォリオを、来場者にとってより親しみやすい形で伝えました。
革新的なAIメモリ製品のご紹介
SK hynixのHBMおよび関連技術の模型
SK hynixは、このイベントで、毎秒2テラバイト（TB）以上のデータ処理能力を持つ12層HBM4と、現在市場に出回っているHBM 1製品の中で業界最大容量となる36GBの12層HBM3Eを展示しました。SK hynixは最近、AIメモリに求められる世界クラスの速度を実現する12層HBM4のサンプルを、業界で初めて既存の主要顧客に提供しました。 SKハイニックスは、TSV 2やAdvanced MR-MUF 3といったHBMに使用されている技術を来場者がより深く理解できるよう3Dモデルを展示し、大きな注目を集め、同社の技術的リーダーシップを再確認しました。
1 高帯域幅メモリ（HBM）：複数のDRAMチップを垂直に積層することで、従来のDRAMと比較してデータ処理速度を大幅に向上させる高付加価値・高性能製品。HBMには、初代HBMからHBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4と6世代が存在します。2 シリコン貫通ビア（TSV）：DRAMチップに数千個の微細な穴を開け、上下のチップの穴を電極で垂直に接続する技術。3 アドバンストマスリフローモールドアンダーフィル（Advanced MR-MUF）：反り制御技術を組み込んだ次世代MR-MUF技術で、従来より40%薄いチップでも反りなく積層できます。さらに、新しい保護材の採用により放熱性が向上しています。
（1枚目の写真から）RDIMM、3DS RDIMM、Tall MRDIMM、SOCAMM、LPCAMM2、CMM-DDR5を展示
SK hynixは、RDIMM 4、3DS 5 RDIMM、Tall MRDIMM 6、SOCAMM、LPCAMM2、CXL 7 Memory Module-DDR5（CMM-DDR5）など、世界のAIメモリ市場をリードする幅広い次世代製品を展示しました。これらの中で、CMM-DDR5はDDR5 DRAMとCXLメモリコントローラを組み合わせた製品です。サーバーシステムに適用した場合、従来のDDR5モジュールと比較して容量が50%増加し、帯域幅が30%向上し、最大36GB/秒のデータ処理速度を実現します。
4 Registered Dual In-line Memory Module（RDIMM）：複数のDRAMチップを基板上に実装したサーバー用メモリモジュール製品。 5 3Dスタックメモリ（3DS）：2つ以上のDRAMチップをパッケージ化し、TSV技術を用いて相互接続した高帯域幅メモリ製品。6 マルチプレックスランクデュアルインラインメモリモジュール（MRDIMM）：複数のDRAMチップを基板上に搭載したサーバー用メモリモジュール製品。モジュールの基本動作単位である2つのランクを同時に動作させることで速度を向上させます。7 Compute Express Link（CXL）：高性能コンピューティングシステム内のCPU、GPU、メモリ、その他のコンポーネントをシームレスにリンクするように設計された、次世代のオープンな業界標準インターコネクト。大規模かつ超高速な動作を可能にします。従来のメモリモジュールにCXL技術を適用することで、容量を最大10倍に拡張できます。
SK hynixの高性能eSSD（PEB110 E1.S、PS1010 E3.S、PS1012 U.2など）を展示
さらにSK hynixは、3つの高性能eSSD（8）を展示しました。176層4D NANDを搭載したデータセンター向けeSSD「PS1010 E3.S」、238層4D NANDを搭載した「PEB110 E1.S」、そしてQLC（10）テクノロジーを搭載した61TBの「PS1012 U.2」です。
8 エンタープライズソリッドステートドライブ（eSSD）：サーバーやデータセンターで使用されるエンタープライズグレードのSSD。9 U.2：主にサーバーや高性能ワークステーションで使用されるSSDフォームファクタの一種。大容量ストレージと高い耐久性を備えています。特に、U.2は2.5インチサイズであるため、既存のサーバーやストレージシステムとの互換性に優れており、インフラストラクチャを変更することなく高性能SSDに簡単にアップグレードできます。10 クアッドレベルセル（QLC）：NANDフラッシュはシングルレベルセルに分類されます。
出典: 元記事を読む
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