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SKハイニックスのソン・ユニク氏が2025年韓国エンジニア賞を受賞：「チームワークの精神で実現した絶え間ない技術革新」
2025年7月22日
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R&D部門のDRAM Peri（DPERI）チームを率いるソン・ユニク氏は、6月17日にソウルで開催された2025年上半期韓国エンジニア賞授賞式で、韓国エンジニア賞を受賞しました。
韓国エンジニア賞は、科学技術情報通信部と韓国産業技術振興協会が共同で授与するもので、各業界において優れた研究開発成果を上げたエンジニアに贈られます。韓国の技術競争力向上に重要な役割を果たした人々に光を当てるものです。
ITエンジニア部門で受賞したソン氏は、SKハイニックスにおける次世代AI半導体技術開発の推進において中心的な役割を果たしてきました。 AI時代の基幹メモリ製品であるHBM1や、モバイル機器向け低消費電力DRAMであるLPDDR2の開発を主導した功績が評価され、技術革新の限界に挑戦し続けたことが評価されました。
1 High Bandwidth Memory（HBM）：複数のDRAMチップを垂直に積層することで、従来のDRAMに比べてデータ処理速度を大幅に向上させた高付加価値・高性能製品。HBMには、初代HBMから始まり、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4と6世代が存在します。2 Low Power Double Data Rate（LPDDR）：スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器向けDRAM規格で、低電圧動作により消費電力を最小限に抑えます。規格名の頭文字「LP」は「Low Power（低消費電力）」の頭文字です。LPDDR規格は、LPDDR1、2、3、4、4X、5、5Xの順に開発が進められてきました。
科学技術情報通信部のチャン・ユン・リー第一副大臣から賞状を受け取るソン氏
韓国技術者賞を受賞したソン氏と家族
韓国技術者賞受賞者の記念撮影
SKハイニックス入社19年目を迎えるソン氏は、デバイスエンジニアとして様々なDRAM製品のペリフェラル3トランジスタの開発に携わってきました。高性能、低消費電力、高信頼性といった厳しい要件の中でも、ソン氏は顧客が実感できる改善を実現する上で、強力な技術的リーダーシップを発揮してきました。
3 ペリフェラル（peri.）：データが保存されるメモリセルを選択・制御する周辺回路領域。
例えば、LPDDR5の開発において、ソン氏はHKMG 4プロセスをDRAMに適用することに成功し、業界の注目を集めました。HKMGは、従来のプロセスと比較して性能と電力効率を同時に向上させるプロセスであり、SKハイニックスのメモリ製品の競争力を大幅に高めました。
4 High-Kメタルゲート（HKMG）：DRAMトランジスタ内部の絶縁層に高誘電率（K）の材料を使用する次世代プロセス。プロセスの微細化に伴うリーク電流を防ぎ、データ保存に必要な電荷量である静電容量を向上させることで、消費電力を削減しながら処理速度を向上させることができます。
SKハイニックス ニュースルームは、ソン氏に受賞の感想と、彼女のテクノロジーにおける歩みについて話を聞きました。
ソン氏、受賞の喜びをチームスピリットで結ばれた同僚たちと分かち合う
ソン氏（中央）はチームメンバーと記念撮影をしています。
「この受賞の喜びを同僚たちと分かち合いたいです」と彼女は語りました。 「これは個人的な功績というよりも、共に考え、共に挑戦してきた時間の成果だと考えています。特に、行き詰まりに直面するたびに、皆で解決策をブレインストーミングした瞬間を覚えています。今後もワンチームスピリットで一致団結し、国家産業の発展を牽引する技術革新を追求していきます。」
ソン氏は、共に成功を成し遂げた同僚たちに感謝の意を表し、彼らのワンチームスピリットこそがSKハイニックスの技術競争力を確立した中核的な価値であると主張しました。
「LPDDRとHBMの開発は、単なる性能向上ではありませんでした」と彼女は述べました。「低消費電力、高信頼性、そして量産性を同時に実現するという困難な挑戦でした。各チームがSUPEX 5を追求し、それぞれの専門分野で最善を尽くしました。相互理解と協力のおかげで、私たちはAIメモリのリーダーシップを維持することができました。」
5 スーパーエクセレントレベル（SUPEX）：SKグループの経営理念であるSKMSで定義された、達成可能な最高レベルの業績。
全く新しいアプローチ：「技術革新を推進するにはパラダイムシフトが必要」
ソン氏は自身の成功を同僚と共有し、彼らの協力的な成果はワンチームスピリットによるものだと述べている。
ソン氏のこれまでの歩みの中で最も重要なマイルストーンは、適応の成功である。
出典: 元記事を読む
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