2025年6月、半導体の国際会議「VLSI Symposium 2025」で、主要ファウンドリ各社が2nm世代CMOS技術に関する研究成果を発表した。そこで注目されたのは、高集積化を実現できる3次元構造のトランジスタFinFETの限界を超える次世代のトランジスタ技術とされる「Gate-All-Around（GAA）」構造の本格採用だった。
本稿では、GAAについてTSMC、Samsung、Intel、imecの動向を中心に、GAAがどのような変革をもたらすのか、そして本格導入に向けてどのような課題があるのかなどを考察する。
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