現在の半導体市場の主役は、非常に高い帯域幅を持つ次世代DRAMメモリであるHBM（High Bandwidth Memory）のように見える。しかし、設計現場ではHBMだけではコスト・容量・消費電力の最適化が成立しないのが現実だ。事実、サーバー／PC／車載／エッジは、DDR系の汎用帯域とNANDの大容量を組み合わせる階層設計となっている。
本稿は、公式発表に基づく三つの最新トピック――①中国の長江メモリ（YMTC）のXtacking® 4.0を用いた「Gen5 TLC」、②台湾Nanyaの「1B世代DDR5（5600量産・6400 ES）」、③日本Kioxiaの「4.8Gb/s NANDインターフェース＋CBA」――を取り上げ、“物理I/O速度（Gb/s・MT/s）”と“実効帯域（GB/s）”の違いや、HBM以外の選択肢を確認する。
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