2025年Q2（4–6月）は、HBM（High Bandwidth Memory）を中心にメモリ大手の明暗がくっきり分かれた。韓国勢では、SK hynixはHBM3Eの量と歩留まりで抜け出し、四半期として過去最高の売上・利益を更新。一方のSamsung Electronicsは、HBMの立ち上げ遅れと対中規制の逆風がのしかかり、半導体部門の利益が大きく縮小した。
対比軸としてMicronを見ると、HBM3Eの“スケール出荷”を武器に過去最高売上を更新。HBM／DDR5／NANDという三つの技術軸で、どこにリソースを振るか――この意思決定が日本の装置・材料サプライヤの受注計画にも直結する局面になっている。
本稿では、SK hynixとSamsung Electronicsの韓国メモリ２強の戦略を分析する。
SK HynixとSamsungの2025年Q2（4–6月）の決算
SK hynixは売上高2兆2,232億ウォン、営業利益9兆2,129億ウォンと、いずれも四半期で過去最高。背景はHBM3E（12-High）を中心としたAIメモリ需要の強さと、DRAM・NANDの出荷・価格の想定上振れだ。
Samsungは連結ベースの営業利益が前年同期比で大きく減少した。とくにデバイスソリューション（半導体）部門は、売上規模こそ維持したものの、HBM出荷の遅延と米国の対中輸出規制の影響で、利益が大きく目減りした。
一方、Micronは会計年度Q3（同暦Q2相当）で過去最高売上を記録。HBM売上は前期比で「約50%増」となり、HBMがDRAM全体の収益性を底上げした。
HBMは「採用認証×高積層×量産歩留まり」の三点セットが揃わないと収益に直結しにくい。今四半期は、その“揃い具合”がそのまま損益の差として可視化されたと言っていいだろう。
HBMの分水嶺
SK hynixはHBM3Eの12-Highを主力に、品質と供給安定性で先行。AIサーバー各社の量産立ち上げに歩調を合わせ、設計・調達の現場で「まず選定候補に入る」地位を確立した。
Samsungは年初に有力顧客の承認前進（8-HighのHBM3E）という朗報があった一方、Q2の出荷タイミングが想定より遅れ、半導体部門の採算を直撃した。重要なのは、“承認の獲得”と“量産スループットの確保”は別物という現実だ。後者をいかに短期で追いつくかが、下期の分岐点になる。
MicronはHBM3Eの量産“スケール”を実証。データセンター向けの売上は過去最高圏に達し、次四半期も増勢見通しを掲げた。
HBMは8-High/12-Highなどの積層設計にパッケージ・熱設計・歩留まりが絡み、事実上“総合格闘技”。現時点の序列は、SK hynixが一歩先、Micronがスケールで肉薄、Samsungは巻き返しの途上という構図だ。
DDR5の裾野拡大－HBMの“外周”を固める本流市場
HBMがAIサーバーの中核を担う一方、汎用サーバー／PCの本流ではDDR5が急速に普及している。Samsungは決算で高密度DDR5の構成比拡大を明言。Micronも1γ（ワン・ガンマ）世代の16Gb DDR5の出荷を開始し、最大9,200MT/s、前世代比で速度15%・電力20%以上の改善を謳う。
前工程では微細化による成膜・エッチング・洗浄のタクト最適化、後工程ではバーンイン／メモリテストのスループット増が重要テーマ。基板・コネクタ・電源系では、PI/SI（電源・信号完全性）の要求水準が上がり、計測・検査の高精度化ニーズが持続する。HBMに比べ収益性は控えめでも、“広い裾野”でビット需要を安定的に吸収するのがDDR5だ。
NANDのPLC化は限定的か
NANDでは、当面の量産の主力はQLC（1セル4ビット）であることに疑いはない。SK hynixは321層の量産開始を発表し、コストと密度の両面でブレークスルーを示した。Samsungは第8世代V-NANDの適用領域を自動車向けまで拡大し、信頼性と高密度の両立を前面に押し出す。サプライチェーン側では、SanDiskがQLCベースの大容量SSD（256TB）のプラットフォームを公表し、QLCの“現実解”としての存在感を強めている。
一方で、PLC（1セル5ビット）はコスト面の魅力が語られるものの、直近1年の主要各社の公式発表・決算資料ベースでは明確な量産時期の示し方は限定的だ。目先はQLCの歩留まり・コントローラ最適化でTCOを詰めるフェーズが続くとみるのが妥当だろう。
Samsungは、HBMでのキャッチアップを進めつつ、NANDや汎用DRAMでのキャッシュ創出（在庫・製品ミックス最適化）に軸足を置く再設計を進めている。短期はHBMの認証・歩留まり回復が最優先、中期はHBM4世代に向けたパッケージ技術（狭ギャップ充填、ハイブリッドボンディング等）とコスト競争力の再設計が鍵になる。これが、Samsungがコスト重視の戦略をとっている理由と思われる。
顧客の設計思想に自社の技術を“合わせに行くか”を明確化しよう
以上、韓国メモリ2強の現状と戦略を見てきた。いずれにしても、2025年後半は「HBMの量産スループット × DDR5の裾野 × QLCのTCO」の三本柱で案件が動くだろう。どの顧客の設計思想に自社の技術を“合わせに行くか”を明確化できるかが、勝敗の鍵を握るのだ。
＊この記事は以下のサイトを参考に執筆しました。
参考リンク
- SK hynix Announces 2Q25 Financial Results（PR Newswire）
- SK hynix Announces Q2 2025 Financial Results（SK hynix Newsroom）
- Samsung Electronics Announces Second Quarter 2025 Results（Samsung Newsroom）
- Samsung Q2 profit drops 55% on weak AI chip sales, China curbs（Reuters）
- Micron Technology, Inc. Reports Results for the Third Quarter of Fiscal 2025（Micron プレスリリース）
- Micron Announces Shipment of 1γ（1-gamma）DRAM（Micron プレスリリース）
- エヌビディア、サムスンのAIメモリー8層HBM3Eを承認（Bloomberg）
- 次世代HBM4パッケージング技術確立（TOWA プレスリリース）
- SK hynix Starts Mass Production of World’s First 321-High NAND（SK hynix Newsroom）
- Samsung Develops Automotive SSD Based on 8th-gen V-NAND（Samsung Newsroom）
- SanDisk、UltraQLCプラットフォームで256TB NVMe SSDを発表（SanDisk プレスリリース）