IBMとLam、サブ1nmロジック半導体実現へ　新素材で微細化加速

この記事のポイント

• IBMとLam Researchは、サブ1nmロジックチップの製造プロセス開発で連携します。
• Lamのドライレジスト「Aether®」と高NA EUVリソグラフィの組み合わせが鍵となります。
• プロセスステップの削減とパターン忠実度の向上により、微細化の加速を目指します。
• この提携は、LamにとってAetherをハイNA EUV向けドライレジストとして確立する重要な機会です。

サブ1nmロジック実現への挑戦とIBM・Lamの連携

ロジックチップのさらなる微細化を可能にする高NA（Numerical Aperture）EUV（極端紫外線）リソグラフィは、1nm以下のノードを実現するための重要な技術です。しかし、この極めて微細な領域では、光の吸収における統計的なばらつき（ストカスティックノイズ）が原因で、より多くの欠陥が発生するという根本的な課題に直面しています。微細化が進むほど、物理的な制約は厳しくなり、パターン形成の難易度は増していきます。

この課題解決に向けて、IBMとLam Researchは5年間にわたるパートナーシップを組み、量産可能な高NA EUVプロセスフローの検証を加速させています。このプロセスでは、Lamの革新的なドライレジスト技術「Aether®」と、Lamのエッチングおよび成膜技術を組み合わせることで、パターンの忠実度を向上させ、プロセスステップを削減し、サブ1nmノードのイノベーションへの道を早めることを目指しています。

Albany NanoTech Complexでの共同開発とAether®の重要性

両社は、ニューヨーク州アルバニーにあるIBM Researchの Albany NanoTech Complexで協力して作業を進めます。ここでは、LamのAether®ドライレジスト技術に加え、Kiyo®およびAkara®エッチングプラットフォーム、Striker®およびALTUS® Halo成膜システムが活用されます。

この協力関係は、LamにとってAether®をハイNA EUVロジック向けの検証済みドライレジストソリューションとして確立する絶好の機会となります。IBMとの5年間にわたるコミットメントは、「ファウンドリがサブ1nmノード向けにレジストプロセスの決定を下すずっと前に、プロセスの習熟度と顧客の信頼を構築する」ものです。

IBMとLam Researchのパートナーシップ、そしてAether®がハイNA EUVの主要な実現要因として注目を集めている理由について、詳細を記事でご確認ください。

関連情報

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