ラムとCEA-Letiの提携により、AI時代に向けた特殊技術が加速

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この協定により、次世代の特殊デバイス向けの革新的でエネルギー効率の高いソリューションが迅速に実現します。
特殊技術は、AIデータセンターにおいて、電力管理や帯域幅管理に不可欠なものとなっています。

このニュースの背景:Lam Researchと、フランスに拠点を置くマイクロおよびナノテクノロジーのパイオニアである研究機関CEA-Letiは、次世代の特殊技術デバイスの開発を推進するための新たな複数年契約を発表しました。

この提携により、AIインフラに不可欠なパワーエレクトロニクスとシリコンフォトニクス向けの材料探索、プロセスパスファインディング、製造可能なソリューションが加速されます。

重要性:AIワークロードの拡大に伴い、特殊技術はもはやオプションではなくなりました。次世代AIデータセンターに必要なエネルギー効率、帯域幅、パフォーマンスを実現するために、特殊技術は不可欠です。

半導体業界がAI向け生産の増強を目指す中、ラムリサーチテクノロジーズはCEA-Letiなどの研究機関との戦略的パートナーシップを強化し、これまで以上に迅速にブレークスルーを実現しようとしています。

関係者からのコメント:「複雑なデバイス構造における新材料の挙動を迅速に評価することで、重要な統合課題を特定し、ラムリサーチテクノロジーズに実用的なフィードバックを提供することができます」とCEA-LetiのCEO、セバスチャン・ドーヴェ氏は述べています。「これにより、有望なプロセスイノベーションから、新世代の特殊技術デバイスにおける検証済み機能への移行が加速します。」

ラムリサーチテクノロジーズ社の特殊技術担当副社長、デビッド・ヘインズ氏は、「今日、特殊技術はほぼすべての電子機器に利用されており、最終用途の拡大に伴い、その性能と電力効率は引き続き課題となるでしょう。私たちは、材料科学、プロセス技術、そして業界固有のアプリケーションの最先端でCEA-Letiと協力できることを楽しみにしています。」

AIにおける特殊技術の重要性の高まり

ヘインズ氏によると、特殊技術はAIデータセンターにおいて、特に電力や接続性のボトルネックがパフォーマンスを直接制限する場合には、極めて重要な実現要因となります。

パワーデバイス:電力はAIデータセンターにおいて今や第一の制約となっています。高密度のAIサーバーラックは膨大な電流を消費するため、高効率で厳密に制御された電力変換は不可欠です。SiCやGaNなどの新素材で製造された高度なパワーデバイスは、電圧の制御、損失の低減、そして極度の負荷下でも安定した動作の維持に不可欠になりつつあります。
コネクティビティ:システムが拡張するにつれて、電気的な相互接続は速度、損失、そして消費電力によって制約を受けるようになります。ラック間でGPUとアクセラレータを同期させるために、業界は光リンクへの移行を進めています。シリコンフォトニクスはこの移行における技術ロードマップの基盤となり、大規模AIクラスターに必要な帯域幅、レイテンシ、そしてエネルギー効率を実現します。

ラムとCEA-Letiの契約は、現在進行中のパートナーシップの最新契約です。

今回の新たな契約は、ラムとCEA-Letiの間で長年にわたり成功を収めてきた共同開発プロジェクトにおける最新のものであり、最近のパルスプラズマ技術に関する研究も含まれています。

ラムとCEA-Letiとの新たな共同研究は、以下の分野を含む、低消費電力で高性能な特殊技術アプリケーションおよびデバイス向けの、様々な新規材料および薄膜の探索に焦点を当てます。

MEMS

3Dイメージングおよびセンサー

電力管理デバイス

RFソ​​リューション

フォトニクスおよびマイクロLEDディスプレイ

光インターコネクト

画期的なパルスレーザー堆積(PLD)システムであるLam Prestis™を含む、ラムの革新的なエッチングおよび堆積技術は、この研究に不可欠な要素となります。

ラムリサーチの最高技術・サステナビリティ責任者であるヴァヒド・ヴァヘディ氏は、「この契約により、ラムリサーチは業界をリードするエッチングと成膜の能力と、CEA-Letiのデバイス特性評価に関する深い専門知識を補完し、画期的な新技術や、よりエネルギー効率が高く高性能な次世代の特殊技術デバイスの開発を加速することができます」と述べています。

関連情報

ラムリサーチとCEA-Leti、特殊技術の製造を推進するための研究開発協力を拡大 – プレスリリース
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出典: 元記事を読む

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