キオクシア株式会社は、QLC (Quadruple-level cell、4ビット/セル)技術を採用した新しいUFS[注1] 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始しました。新製品は、キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載し、リードインテンシブのアプリケーションおよび大容量ストレージ向けに設計され、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器だけでなく、PC、ネットワーク機器、AR/VR、IoT、AI対応デバイスなどに適しています。
QLC UFSは、従来のTLC UFSよりもビット密度が高く、モバイル・アプリケーションの大容量化に貢献します。コントローラー技術とエラー訂正能力の向上により、QLCを用いた性能と容量の高いバランスを実現し、大幅な性能向上を達成しています[注2]。新しいQLC UFS製品は、当社前世代品[注3]と比較して、シーケンシャルライト性能約25%、ランダムリード性能約90%、ランダムライト性能約95%向上しています[注4]。また、書き込み増幅率(WAF)は最大3.5倍改善されます(WriteBooster無効時)。
新しいUFS 4.1製品は、キオクシアのBiCS FLASH™3次元フラッシュメモリとコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収めたものです。キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリは、先進的なCMOS directly Bonded to Array (CBA)技術を採用しています。
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