Tower Semiconductor、日本で30億ドル投資 – 光・Ge半導体生産を拡大

この記事のポイント

• Tower Semiconductorが日本での半導体生産能力拡大のため、30億ドルの投資を発表。
• 日本政府から10億ドルの資金援助を受ける。
• AIやデータセンターの需要増加に対応するため、シリコンフォトニクスおよびシリコンゲルマニウム（SiGe）技術の生産を強化する。
• 投資は2段階で実施され、2027年後半には300mmシリコンフォトニクスデバイスの生産ラインが稼働開始予定。
• この投資により、2028年の収益見通しが大幅に上方修正される見込み。

Tower Semiconductor、日本での大規模投資を発表

イスラエルに拠点を置く半導体メーカーであるTower Semiconductorは、日本国内の半導体製造事業を強化するため、30億ドル（約4,600億円）の投資を行うことを発表しました。この投資には、日本政府からの10億ドル（約1,500億円）の資金援助が含まれています。

AI・データセンター需要への対応と新技術への注力

この発表を受け、同社の米国上場株式はプレマーケット取引で18%以上上昇しました。この大規模投資は、人工知能（AI）およびデータセンター分野からの高まる需要に応えることを目的としています。特に、AIチップ間でのデータ転送を高速化するシリコンフォトニクス技術と、より高速でエネルギー効率の高い半導体デバイスの製造を可能にするシリコンゲルマニウム（SiGe）技術の生産能力向上に注力します。

投資計画の概要と今後の見通し

今回の生産能力拡張は、2段階で実施される予定です。第1段階では、Tower Semiconductorが日本に持つ新井工場（旧Fab 6）を、300mmシリコンフォトニクスデバイスの生産ラインへと改修します。このラインは、2027年第4四半期に全面的な生産稼働を見込んでいます。

同社は、この初期の生産能力拡大が完了した後、2028年の収益を当初予測の28億ドルから36億ドルへ、純利益を7.5億ドルから12億ドルへと上方修正すると見込んでいます。

第2段階は、第1段階と並行して開始され、同社の既存のFab 7工場の隣接地に、新たな300mmフォトニクスデバイス生産ラインが建設される予定です。Tower SemiconductorのCEOであるRussell Ellwanger氏は、「第2段階は、当社が2028年以降も継続的に成長していくための基盤を築くものと期待しています」と述べています。

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