中国AIメモリ増産へ、世界市場に影響か

この記事のポイント

• 中国の長鑫存储と長江存储がAIメモリの生産能力を増強。
• 2027年以降、両社合わせて产能が現在の2倍以上に達する見込み。
• AI向けHBM（ハイバンド幅メモリ）やNANDフラッシュの増産が柱。
• 世界的なメモリ価格高騰の抑制や、市場シェア拡大への期待。
• 米国の規制強化が長期的に中国半導体産業を強化するとの見方も。

中国大手メモリメーカーの増産計画

中国の半導体大手である長鑫存储（Changxin Memory Technologies）と長江存储（Yangtze Memory Technologies）が、AI（人工知能）に不可欠なメモリの生産能力を急速に高めています。両社は新規工場の建設を進めており、2027年以降には、現在の产能を大幅に上回る規模となる見込みです。これにより、企業にとって新たなビジネスチャンスが生まれると期待されています。

長鑫存储：DRAMとHBMの増強

長鑫存储は、一時的なデータ保存に用いられるDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）や、DRAMを積層した高性能メモリであるHBM（ハイバンド幅メモリ）の製造を主力としています。業界関係者によると、HBMは現在、長鑫存储が安徽省合肥（がっフェイ）に持つ工場で生産されており、上海で建設中の新工場は2027年から本格稼働する計画です。新工場が稼働することで、同社のDRAMおよびHBMの総生産能力は、現在の2倍以上に拡大すると見られています。

長江存储：NANDフラッシュとSSDの生産拡大

一方、長江存储は、長期的なデータ保存に用いられるNANDフラッシュメモリや、その主要構成部品となるSSD（ソリッドステートドライブ）の生産を担っています。同社は湖北省武漢（ぶかん）に第3工場を建設しており、当初予定されていた2027年よりも前倒しし、2026年末までの量産開始を目指しています。さらに、今後2つの工場を増設する計画もあり、全ての工場が稼働する頃には、生産能力は現在の2倍以上に拡大する見通しです。

メモリ市場への影響と価格への期待

長鑫存储と長江存储による増産努力は、世界的なメモリ価格の高騰に歯止めをかける一助となると一部では見られています。香港メディアの分析によれば、「2027年下半期に工場が集中して稼働し始めれば、需給バランスが再び均衡に向かい、今回の価格上昇サイクルが終焉する可能性が高い」と指摘しています。

市場シェアの拡大と米国の懸念

中国メディアの報道によると、香港の市場調査会社「对比法（Counterpoint Technology）」の統計データでは、長鑫存储の2026年第1四半期のグローバルDRAM市場シェア（金額ベース）は、前年同期比5ポイント拡大し8%に達しました。同期間に長江存储のNANDフラッシュのグローバル市場シェア（金額ベース）も5ポイント拡大し13%となっています。

こうした中国の半導体産業の急速な発展に対し、米国政府は警戒感を強めています。中国の半導体業界関係者は、「米国の規制措置は、短期的に見れば両社の成長を鈍化させるだろう」としながらも、「長期的には、これらの措置が逆に中国の半導体企業をさらに強くする可能性がある」と分析しています。

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