SK hynix、次世代DRAM開発の鍵は「No.1 DNA」と新アーキテクチャ

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この記事のポイント

• AI時代のメモリ半導体開発は、デバイス技術への回帰が鍵となる。
• SK hynixのDRAMデバイス技術は、HBM（High Bandwidth Memory）などAIメモリ市場での競争力維持に貢献。
• 次世代DRAMアーキテクチャとして、Vertical Gate（VG）技術が重要視されている。
• Jang氏は、SK hynixの「No.1 DNA」を継承し、次世代DRAM技術の進化を主導する決意を表明。
• 開発プロセスにおける迅速な実行と「ワンチーム精神」の醸成が、競争力強化に不可欠である。

AI時代におけるDRAMデバイス技術の重要性

AI技術の進化に伴い、メモリ半導体業界は性能、密度、信頼性に対する要求の高まりと技術的限界という二重の課題に直面しています。このような状況下で、解決策は半導体の根幹である「デバイス技術」への回帰にあります。

この技術的基盤は、2025年のSK hynixの業績においても重要な役割を果たしました。同社のDRAMデバイス技術は、HBM（High Bandwidth Memory）をはじめとする業界をリードする競争力の中心的な柱となり、AIメモリ市場での地位強化に貢献しています。そして今、この技術はさらなる飛躍の準備を進めています。

SK hynixニュースルームは、R&DのVG TD（Vertical Gate Technology Development）部門に新任されたKyoungchul Jang副社長に、AI時代におけるDRAMデバイス技術の重要性とSK hynixのDRAM技術の未来について話を伺いました。

技術的卓越性によるDRAM市場リーダーシップの維持

2008年に同社に入社して以来、Jang氏はデバイス開発のキャリアを築いてきました。DRAMセルデバイス技術に関する彼の功績は、4度のSKMS実践賞とハイニックス大賞を受賞し、SK hynixのDRAM技術の競争力を強化してきました。

Jang氏は、今回の役職への任命について、長年一つの分野に注力してきた集大成であると述べています。

「この業界でキャリアをスタートした当初、私の目標は、多才な半導体プロフェッショナルになることでした。今、そのコミットメントを最大限に発揮する時が来たと思っています。」

Jang氏は、SK hynixのトップクラスのDRAM競争力を維持することが、これまでのキャリアにおける最大の功績であると語ります。そして、この成功を基盤に次世代開発を主導することへの強い意欲を示しました。

「SK hynixのDRAMセルの性能は一貫してNo.1であり、先人たちの業績を引き継いでいることに大きな誇りを感じています。『No.1 DNA』を維持することは、現在の強みであるだけでなく、次のステージへの推進力でもあります。これを基盤に、SK hynixのDRAM技術における新たな飛躍を準備していきます。」

DRAMアーキテクチャの転換点における次世代基準の定義

Jang氏は、現在のDRAMアーキテクチャが根本的な移行期にある、極めて重要な局面だと説明します。このシフトの最前線にいるのが、従来の構造の限界を超える新しいセルアーキテクチャの開発を担うVG TD組織です。

VG（Vertical Gate）：次世代DRAMセルアーキテクチャ技術。垂直ゲート構造を実装することで、セルの面積を削減しつつ、高密度、高速、低消費電力という特性を同時に実現します。

「AI時代が加速するにつれて、顧客の要求は、より大容量、より高速、そしてより低消費電力へと収束しています。スケーリングによる性能向上が限界に近づくにつれて、持続的なイノベーションのためには、セルアーキテクチャの移行が不可避となっています。」

この課題に対処するため、Jang氏は、DRAMプロセスは密度を高めるために10ナノメートル以下にスケーリングする必要があるとともに、VGアーキテクチャとウェーハボンディングを活用した新しいDRAMプラットフォームの開発により、低消費電力と高速性能の両方を達成する必要があると説明しました。

ウェーハボンディング：異なるウェーハを精密に接合し、垂直積層構造を形成するプロセス。高性能AI半導体のような複雑な統合構造を実現するために不可欠な技術です。

「今日の私たちのR&Dの方向性と技術的選択が、SK hynixの将来の競争力を定義します。VG TDの使命は、これらの選択を具体的な製品に変換し、次世代DRAMの基準を確立することです。」

次世代DRAM技術を実現するために、Jang氏は、新しいプラットフォームの完成度を高め、早期の量産競争力を確保することを今年の最優先事項として特定しています。そのために、新しい技術の完全性と信頼性を向上させるための技術最適化に注力し、大量生産環境でも安定した性能を確保することを目指します。

「今年の最優先目標は、TAT（Turn Around Time）を短縮しながら、製造可能なチップを生産することです。これを達成するために、遅延を最小限に抑え、実行を合理化するために、リスクを事前に徹底的に評価します。」

TAT（Turn Around Time）：開発および検証プロセスに要する時間。

高実行力な「ワンチーム精神」文化の構築

Jang氏は、急速に変化するAI環境において、先見的な検証と迅速な実行が差別化された競争力を確保するために極めて重要であると強調しました。綿密な準備と、即座に結果を出す組織能力の組み合わせが、優位性を保つために不可欠であると考えています。

「R&D組織がイノベーションを起こすためには、絶え間なく慎重なレビューを維持しながら、大胆な挑戦というSUPEX精神を追求しなければなりません。社内では、すべてのメンバーが責任感を持って行動し、社外では、シームレスなコミュニケーションをサポートするために、障壁のない『ワンチーム精神』の文化を醸成する必要があります。」

彼は、強力な実行力と集団的な強さを中心としたチーム文化を育成することに決意を固めています。

「リーダーの役割は、個々のメンバーに完璧を求めることではなく、個々の強みを結びつけ、チームの能力を通じて限界を克服することです。メンバーがそれぞれの役割で能力を発揮できる環境を、組織全体が『ワンチーム精神』の下で一つの方向に向かって進むように、私は努力していきます。」

最後に、Jang氏はコラボレーションの力について強調しました。

「新しい技術を開発するたびに、それが可能かどうかを自問自答してきました。しかし、かつては不確かだと思われたことを達成することで、人々が協力して働くことの力を実感しました。私たちの同僚によって構築されたSK hynixの2D DRAMは、世界クラスであり、それに計り知れない誇りを感じています。DRAM構造遷移というこの重要な転換点を航海するにあたり、VG DRAMにおけるSK hynixの人々の力を示すために、私は全力を尽くします。」

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