Lam Research、Edison Awardsを3度受賞！革新技術ALTUS® HaloとAkara®が金・銀メダル獲得

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この記事のポイント

• Lam Researchが素材科学分野でEdison Awardsを3度目の受賞。
• ALTUS® Halo（金賞）とAkara®（銀賞）の2つの技術が評価された。
• 両技術は、AI時代に不可欠な次世代半導体の製造における課題解決に貢献。
• ALTUS® Haloはモリブデン（Mo）の原子レベルでの堆積を可能にするALDシステム。
• Akara®は高精度なプラズマ制御で微細な回路形成を可能にするエッチング技術。

Lam Research、Edison Awardsを再び受賞：ALTUS® HaloとAkara®が金・銀メダルを獲得

Lam Researchは、2023年以降で3度目となる権威あるEdison Awardを素材科学分野における革新性で受賞しました。今回は、ALTUS® Haloが金賞、Akara®が銀賞を受賞し、2つの技術が同時に表彰される快挙となりました。

Edison Awardsとは：世界的なイノベーションを称える権威ある賞

Edison Awardsは、毎年開催される権威あるコンペティションであり、様々な産業におけるグローバルなイノベーション、画期的な製品・サービス、そして先見性のある思想家を称賛するものです。受賞者は、現実世界への影響と市場での採用を重視した、大胆なアイデアを実現した革新的な取り組みを評価する、厳格なピアレビュープロセスを経て選出されます。

Lam Researchは、過去にも2023年にArgos®、Prevos®、Selis®の選択的エッチング技術で、2025年にはLam Cryo™ 3.0クライオエッチング技術で受賞しています。

マイクロエレクトロニクス素材分野で最優秀賞を獲得

ALTUS HaloとAkaraは、数百件のノミネートの中から選ばれ、マイクロエレクトロニクス素材の進歩というカテゴリーでそれぞれ受賞しました。

Edison Awardsの受賞は、これらのツールが人工知能（AI）時代において、半導体開発に与える重大な影響と変革の可能性を改めて示しています。

ALTUS® Halo：モリブデン堆積を可能にする革新的ALDシステム

ALTUS Haloは、世界初の原子層堆積（ALD）システムであり、先進的な半導体メタライゼーションのためにモリブデン（Mo）の原子レベルでの堆積を可能にします。これにより、Moを量産製造で実用化することができ、ますます複雑化する3Dメモリおよびロジックデバイスにおける配線抵抗の低減とスケーリングのボトルネック解消に貢献します。

Akara®：高精度なプラズマ制御によるエッチング技術

Akaraは、Lam Researchの画期的な導体エッチング技術であり、3Dチップアーキテクチャで要求される、ますます微細化・高アスペクト比化する構造を形成するための高度なプラズマ制御を提供します。アングストロームレベルの精度と高速なプラズマ応答により、チップメーカーはスケーリングの継続に伴うパターン忠実度、歩留まり、デバイス性能の向上を達成できます。

Lam Research CVP、Andy Cohen氏のコメント

「Edison Awardsは、産業を前進させるイノベーションを称えるものであり、ALTUS HaloとAkaraはまさにそれを実現しています」と、Lam ResearchのグローバルプロダクツグループCVPであるAndy Cohen氏は述べています。「これらの技術は、メモリやロジックにおける3Dデバイスアーキテクチャの複雑さに伴う、業界で最も困難な課題のいくつかを解決する、差別化され、実績があり、スケーラブルなイノベーションを組み合わせて提供します。ひいては、AIコンピューティングの次なる進化を支える力となるでしょう。」

関連情報

• ALTUS® HaloおよびAkara® Edison Award ページ
• Lam Cryo 3.0が「ゲームチェンジャー」エッチング技術でゴールドアワードを受賞
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