米商務省、I-Pulse社に250億円規模のCHIPS R&D助成金を発表

この記事のポイント

• 米商務省は、I-Pulse社に250億円規模のCHIPS R&D助成金を授与することを決定しました。
• 次世代の炭化ケイ素（SiC）半導体の研究開発を加速し、米国の技術的リーダーシップを強化します。
• 開発されるSiC半導体は、高温・高周波・高電力環境下での動作に特化しています。
• 特に、エネルギー、鉱業、先進製造、医療、核融合などの重要産業への応用が期待されています。
• 商務省は、I-Pulse社への出資を通じて、米国の納税者にとっての利益を確保します。

次世代半導体開発への大規模投資

米国商務省のCHIPS研究開発局は、CHIPSおよび科学法に基づき、I-Pulse社に対して2億5000万ドル（約250億円）の助成金授与に関する最終契約を締結したことを発表しました。この助成金は、極めて過酷な動作環境下でも機能する革新的な炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の研究開発を推進し、米国の技術的リーダーシップとイノベーションを加速させるものです。

I-Pulse社の技術と産業への貢献

I-Pulse社は、連邦研究所、大学、専門メーカーと連携し、次世代のSiC半導体開発に取り組みます。この半導体は、高温、高電流、高電圧下での動作が可能な固体スイッチとして設計されており、特にパルス電源技術への応用が期待されています。パルス電源技術とは、ナノ秒単位の間隔で高エネルギーパルスを高速に照射する技術です。

SiCパワー半導体をパルス電源ドリルに活用することで、地熱開発や重要鉱物の採掘といった分野で、従来の工法よりも効率的かつ低コストでの掘削が可能になります。さらに、この技術は先進製造、医療、核融合発電など、複数の重要でデュアルユース（軍民両用）および商業分野のパルス電源システムにも応用され、イノベーションを促進する可能性があります。

「ゲームチェンジャー」となるSiC技術

商務省で半導体投資・イノベーション担当執行ディレクターを務めるビル・フラウエンホーファー氏は、「I-Pulse社が開発する次世代炭化ケイ素ベースの技術は、極限環境下での運用にとってまさにゲームチェンジャーです。I-Pulse社の高電力・高周波スイッチおよびパッケージは、過酷な衝撃や温度に耐えるように設計されており、重要産業がこれまでの技術的限界を打破することを可能にします」と述べています。

米国の国益と将来への投資

商務長官のハワード・リュトニック氏は、「本日の投資発表により、トランプ政権はアメリカの能力を強化し、国家およびエネルギー安全保障目標を向上させています」とコメントしました。この助成金契約の一環として、商務省はI-Pulse社に対して少数で非支配的な株式を取得しており、これにより米国の納税者への利益がさらに高まることになります。

CHIPS R&Dプログラムの継続

CHIPS研究開発局は、米国内のマイクロエレクトロニクス技術を進歩させる研究、プロトタイピング、および商業ソリューションを対象とした提案の募集を継続しています。適格な申請者は、www.grants.govにてAnnouncement 2025-NIST-CHIPS-CRDO-01を通じて申請できます。

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