キオクシアとサンディスク、第10世代3Dフラッシュメモリ生産開始！北上工場K2棟が稼働

この記事のポイント

• キオクシアとサンディスクが、北上工場K2棟で第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始しました。
• 革新的なCBA技術を採用し、高性能・大容量・低消費電力を実現しています。
• AI市場の需要拡大に対応し、両社のビット成長目標達成に貢献します。
• 免震構造やAI活用など、最新技術を導入したK2棟は生産効率向上を目指しています。
• 両社の合弁事業延長（2034年12月まで）と、長期的なパートナーシップ強化を象徴する成果です。

北上工場K2棟で第10世代3Dフラッシュメモリ生産開始

キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、両社の合弁事業拠点である北上工場（岩手県北上市）の第2製造棟（以下、K2棟）において、第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始したことを発表しました。これは、革新的なフラッシュメモリに対する世界的な需要の高まりに応えるため、両社が推進してきたビット成長戦略における重要な節目となります。

高性能・大容量を実現する最新技術

新しく生産が開始された第10世代3次元フラッシュメモリは、革新的なCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術を採用しています。この技術により、従来世代と比較して、さらなる高性能化、大容量化、そして低消費電力を実現しており、急速に伸長するAI市場をはじめとする様々なアプリケーションの要求に応えることが可能になります。

生産効率と安全性を高めたK2棟

K2棟は、2025年9月に本格稼働を開始し、それまで第8世代3次元フラッシュメモリを生産していましたが、今回の第10世代製品の導入により、生産規模を一層拡大します。建物自体は、地震の揺れを吸収する免震構造を採用しており、安全性の確保と生産効率の向上を両立させています。さらに、生産設備の設置効率を高めるスペース効率に優れたデザインや、人工知能（AI）などの最新技術の適用範囲拡大により、スマートファクトリー化を推進しています。

長期的なパートナーシップと未来への投資

今年、キオクシアとサンディスクは、両社の合弁事業を2034年12月まで延長することを発表しており、これは長年にわたる強固なパートナーシップをさらに深化させるものです。K2棟への継続的な投資は、最先端のフラッシュメモリ技術を安定的かつ大規模に提供し続けるための基盤となり、合弁事業の長期的な成功を支えます。

関係者のコメント

キオクシア岩手株式会社の柴山耕一郎代表取締役社長は、「北上において最先端の第10世代フラッシュメモリ製品を生産できることを大変喜ばしく思います。K2棟で生産する製品は、急速に伸長するAI市場に新たな価値を提供します。キオクシアは引き続き両社のパートナーシップとスケールメリットを生かし、先端のフラッシュメモリ製品を生産し、持続的な成長を達成していきます。」と述べています。

サンディスクコーポレーションのAlper Ilkbahar最高技術責任者は、「本日の成果は、キオクシアとの強固なパートナーシップと、NANDフラッシュ技術の革新を共に推進するという両社の揺るぎないコミットメントを象徴するものです。この3Dフラッシュメモリ製造における成果は、日米協力の大きな価値を示すものであり、高性能フラッシュ技術に対する需要の拡大を支える持続的な投資戦略の推進にもつながっています。」とコメントしています。

メモリ分野におけるリーダーシップ強化へ

キオクシアとサンディスクは、26年以上にわたり築き上げてきたジョイントベンチャーパートナーシップを活かし、今後も3次元フラッシュメモリの共同開発および市場動向に沿った共同投資を通じてシナジー効果を最大限発揮し、それぞれの競争力を強化することで、メモリ分野におけるリーダーシップをさらに強固にしていく方針です。

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