SKハイニックス、次世代AIメモリ「HBM4E」のサンプル出荷を開始

この記事のポイント

• SKハイニックスは、AI向け次世代DRAM「HBM4E」の12層スタックサンプルを主要顧客に出荷しました。
• ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度と、従来モデル比20%以上の電力効率向上を達成しています。
• 最先端のMR-MUF技術を採用し、熱抵抗を17%低減することで、高負荷環境下での安定動作を実現しました。
• HBM3、HBM3E、HBM4の量産・供給実績を活かし、AIメモリ市場におけるリーダーシップをさらに強化します。

SKハイニックス、次世代AIメモリ「HBM4E」のサンプル出荷を発表

SKハイニックスは、AI向け次世代DRAMである「HBM4E」のサンプルを主要顧客に向けて出荷したことを発表しました。同社は、HBMの開発および生産における高度な専門知識により、予定通り12層スタックのHBM4Eサンプルを提供できたとしています。今後、パートナー企業と緊密に連携し、タイムリーな量産体制の構築を目指します。

性能と電力効率を大幅に向上させたHBM4E

今回出荷された12層スタックのHBM4Eは、性能と電力効率の両面で顕著な向上を遂げています。ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度を実現し、電力効率は従来モデルと比較して20%以上向上しました。これらの改良により、AIのトレーニングや推論におけるデータ処理能力が大幅に向上します。

HBM4Eは、最新のインターフェースと設計最適化により、データ転送の遅延を削減しつつ、高帯域幅環境下でも安定した動作を維持します。これにより、顧客はAIデータセンターや大規模コンピューティングシステムにおけるデータ処理効率を高めることが可能になります。

熱抵抗を低減し、安定性を向上させる技術

SKハイニックスは、HBM4E製品に先進的なMR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術を採用しています。これにより、12層スタックで48GBの容量を実現しながら、構造的な安定性を確保しています。特に、先行モデルであるHBM4と比較して熱抵抗を17%低減させることに成功しており、高性能コンピューティング環境下でのメモリチップの安定動作を可能にします。

1MR-MUFとは、チップ間に液状の保護材料を注入して回路を保護する、半導体の積層に使用されるプロセスです。

AIメモリ市場におけるリーダーシップの強化

SKハイニックスは、HBM3、HBM3E、HBM4の量産および供給における専門知識に基づき、顧客に最適化されたメモリソリューションを提供してきました。市場で実証された製品の信頼性と供給能力を活かし、次世代インフラの開発を支援するとともに、AIシステムのボトルネック解消に貢献します。

SKハイニックスの社長兼最高開発責任者であるAhn Hyun氏は、「SKハイニックスは、市場をリードする技術力と製造ノウハウに基づき、HBM4EによってAIリーダーシップを強化するための基盤を築きました」と述べています。「パートナーとの緊密な協力により、市場が求める価値を提供し、フルスタックAIメモリクリエイターとしての技術的リーダーシップをさらに確固たるものにしていきます。」

出典: 元記事を読む