この記事のポイント
- AIインフラ向けに、高性能QLC 3次元フラッシュメモリ技術(第9世代)を発表
- アーキテクチャー革新により、AIワークロードの高速化と投資効率を両立
- CMOS directly Bonded to Array(CBA)技術を活用し、性能向上と電力効率改善を実現
- NANDインターフェース速度は第8世代比で33%向上し、4.8Gb/秒に
- AI時代における増大するストレージ需要への貢献を目指す
AI時代を支える高性能ストレージ技術
キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、AIインフラ向けのストレージ需要の増大に対応するため、QLC(Quad-Level-Cell、4ビット/セル)技術を用いた高性能2Tb(テラビット)第9世代3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。この新技術は、アーキテクチャーの革新により、AIワークロードが求めるスピードへの対応と、より投資効率の高い生産を両立させることを目指しています。
CMOS CBA技術による性能向上
両社独自のCMOS directly Bonded to Array(CBA)技術¹を活用した本技術は、最新のCMOS回路と既存のメモリセルアレイを組み合わせるとともに、設計およびデバイスの改良技術を取り入れることで性能向上を実現しました。これにより、クラウドおよびデータ集約型アプリケーション向けの先進的なストレージソリューションの迅速な展開が可能になります。
大幅な帯域幅と電力効率の改善
従来の第8世代2Tb QLC 3次元フラッシュメモリ技術と比較して、今回の第9世代技術では6プレーン構造の採用や性能向上技術により、書き込みと読み出しの帯域幅を向上させています。さらに、書き込み時と読み出し時の電力効率も改善されています。特筆すべきは、NANDインターフェース速度が第8世代比で33%向上となる4.8Gb/秒²を実現した点です。
AI社会の多様化・高度化に対応
キオクシアの技術統括責任者である宮島秀史氏は、「AIが基盤となって発展していく社会の中で、AIの活用は生成AIからエージェント型AIやフィジカルAIへと広がり、データ活用は多様化・高度化しています。キオクシアは既存世代のメモリセル技術と最新のCMOS技術を融合させた第9世代フラッシュメモリの開発を加速し、投資コストを抑えつつ高性能を実現していきます。」と述べています。
技術革新を加速する柔軟性
サンディスクの最高技術責任者であるAlper Ilkbahar(アルパー・イルクバハール)氏は、「AIの急速な普及により、ストレージインターフェースの移行が加速しており、従来の技術サイクルを上回るスピードで進化できるメモリ技術への需要が高まっています。第9世代QLC 3次元フラッシュメモリ技術は、CMOS技術とメモリ技術をそれぞれ独立して進化させることで、技術革新を加速するCBA技術ならではの柔軟性を実証しています。私たちは卓越した投資効率を維持しながら、新たな価値をより迅速に市場へ提供していきます。」とコメントしています。
3次元フラッシュメモリロードマップの進化
今回の第9世代QLC 3次元フラッシュメモリ技術の発表は、3次元フラッシュメモリのロードマップの進化における重要なマイルストーンであり、キオクシアとサンディスクの継続的な協業の成果を示すものです。両社は、CBA技術の柔軟性を最大限に活用することで、NAND技術革新の新たな可能性を広げ、AI時代において増大するストレージ需要への対応に貢献していきます。
¹ CMOS回路ウエハーとメモリセルアレイウエハーをそれぞれ最適な条件で製造した後に貼り合わせる技術。
² 1Gb/sは1,000,000,000ビット/秒として算出されています。この値は特定のテスト環境下での値であり、使用条件によって異なる場合があります。
※製品の記憶容量は、搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域、フォーマット、不良ブロック管理等に使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はこれより少なくなります。また、ホスト機器やアプリケーションによって異なる場合があります。詳細については、各製品の仕様をご参照ください。1KB = 2^10バイト = 1,024バイト、1Gb = 2^30ビット = 1,073,741,824ビット、1GB = 2^30バイト = 1,073,741,824バイト、1Tb = 2^40ビット = 1,099,511,627,776ビット。
※記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
出典: 元記事を読む
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