Infineon、世界初の300mm SiCウェハーによるパワー半導体製造に成功

この記事のポイント

• フィラッハ工場にて世界初となる300mm SiCウェハーを用いた機能的パワーデバイスの加工に成功
• 既存のSi製造装置を活用し、従来の200mmウェハー比でウェハー1枚あたり2.3倍のチップ数を実現
• ドレスデン拠点では材料ロスを低減する独自技術「Cold Split」の300mm SiC適用も実証
• ミュンヘンで開催される「electronica 2026」にて加工済み300mm SiCウェハーを一般公開予定

既存のSi製造設備を活用し、300mm SiCパワーデバイスの加工に成功

Infineon Technologies AGは、オーストリアのフィラッハ工場において、300ミリメートル（mm）のシリコンカーバイド（SiC）ウェハーを加工し、機能的なパワーデバイスの製造に成功したことを発表しました。フルスケールの半導体工場環境においてこのマイルストーンを達成した企業は、Infineonが業界初となります。この成果は、既存のシリコン（Si）製造装置を活用することによって実現されました。

300mmウェハーによるチップ製造は技術的により高度であり、口径が大きいため200mmウェハー比でウェハー1枚あたり2.3倍のチップを製造でき、生産効率が大幅に向上します。機能的パワーデバイスの早期実現は、高性能なSiCパワー半導体の包括的な製品群を提供し、長期的な安定供給を確実にするという同社の注力姿勢を示すものです。

車載、再エネ、AIデータセンターに向けた将来の供給基盤を構築

Infineon TechnologiesのCEOであるJochen Hanebeck氏は次のように述べています。「この技術的マイルストーンは、パワーシステムにおける当社のリーダーシップをさらに強固なものにします。300mm SiCを研究段階から製造環境へと移行させ、大きな前進を遂げた情熱的なチームに感謝します。パワー半導体のリーダーであり続けることは、技術を常に次のレベルへと引き上げることを意味します。シリコン、窒化ガリウム（GaN）、そして今回のシリコンカーバイドにおける300mmウェハーにより、当社は半導体製造を大規模化し、収益性の高い成長を推進する主導的な立場にあります」

この成果は、300mmウェハーによる将来的なSiCの本格的産業化の可能性を示すものです。Infineonは、200mm SiC製造ロードマップの実行を継続しながら、顧客やパートナーと緊密に連携して300mm SiC技術とその立ち上げ時期を計画していく予定です。先進的なSiCパワー技術は、自動車、再生可能エネルギー、産業機器、そしてAIデータセンターなどの用途において、費用対効果が高く確実な供給基盤を提供します。

Cold Split技術の実証と3素材（Si/GaN/SiC）での300mm展開

SiCは高効率な電力変換に不可欠な半導体材料です。その材料特性により、トラクションインバーター、車載充電器（OBC）、EV用急速充電器、大規模エネルギー貯蔵システム、産業用ドライブ、無停電電源装置（UPS）などにおいて、電力損失の低減、高電力密度化、高電圧・高温環境下での効率的な動作を可能にします。さらに、AIデータセンターにおけるソリッドステートトランス（SST）、回路遮断器、電源ユニット（PSU）などでも新たな需要が拡大しており、Infineonは「CoolSiC™」ポートフォリオでこれらに対応しています。

並行して、Infineonはドイツのドレスデン拠点において、300mm SiCに対する「Cold Split」技術の適用可能性も実証しました。Cold Splitは、従来のワイヤーソー加工と比べて材料ロスが少なく、加工時間を大幅に短縮しながらSiCインゴットからウェハーを分離できるため、設備投資を抑えつつ同じ結晶からより多くのウェハーを取得可能です。

Infineonは、Si、SiC、GaNの3つの主要材料すべてに基づく半導体を製造しています。2026年10月27日には、フィラッハ拠点において300mmウェハーを用いたGaNパワー半導体の量産設備に約11億ユーロを投資することを発表しました。今回のSiCでの成果は、このアプローチを第2のワイドバンドギャップ材料へと拡張するものであり、半導体製造におけるイノベーションリーダーとしての地位をより強固なものにします。

electronica 2026にて世界初公開

Infineonは、ドイツ・ミュンヘンで開催される展示会「electronica 2026」（2026年11月10日〜13日）において、世界初となる加工済み300mm SiCウェハーを一般向けに公開する予定です。

出典: 元記事を読む