Infineon、世界初の300mm GaNパワー半導体量産拠点を新設　約11億ユーロ投資

この記事のポイント

• Infineonがオーストリアのフィラッハ拠点に約11億ユーロを投じ、世界初となる300mmウェハーでのGaNパワー半導体量産ラインを構築
• 200mmウェハーと比較して1枚あたり2.3倍のチップを製造可能で、高効率かつ費用対効果の高い生産を実現し、2027年末の稼働を予定
• 欧州半導体法（European Chips Act）のもと、欧州委員会から最大3億1900万ユーロの助成金供与が承認
• AIデータセンターやモビリティなどの需要急増を背景に、GaNパワー半導体市場は2031年に約35億ドル規模へ拡大する見込み

300mm GaNパワー半導体の量産拠点設立に約11億ユーロを投資

独Infineon Technologiesは、欧州において次世代の窒化ガリウム（GaN: Gallium Nitride）パワー半導体を300ミリメートルウェハーで製造する世界初の量産拠点を設立すると発表しました。本プロジェクトの一環として、Infineonは2034年までにオーストリアのフィラッハ（Villach）拠点の既存クリーンルーム施設へ約11億ユーロを投資します。

既存および更新されたインフラストラクチャを活用することで、高効率かつ費用対効果の高い製造能力の拡張が可能になります。生産開始は2027年末を予定しています。この投資は、急速に高まる高性能電源ソリューションへの需要に対応するものです。GaNは、AIデータセンター、エネルギーインフラ、eモビリティ、ロボティクス、コンシューマー向けエレクトロニクスなど、多くの用途で大幅なエネルギー効率向上を実現します。

300mmウェハー化で製造効率を大幅に向上

InfineonはGaNパワーエレクトロニクスの分野で主導的な立場にあります。同社は2年前に世界で初めて300mm GaNウェハーの加工に成功し、技術的なマイルストーンを達成しました。300mmウェハーによるチップ製造は、大口径化によってウェハー1枚あたり200mmウェハーの2.3倍のチップを得られるため、より先進的かつ大幅に効率的です。Infineonは現在、この技術を顧客向けの世界初の量産拠点へと展開しています。

Infineon TechnologiesのCEOであるJochen Hanebeck氏は次のように述べています。
「今回の多額の投資は、欧州の半導体エコシステムと欧州の技術主権を強化するという私たちの明確なコミットメントを示すものです。300mmウェハーによる量産体制を確立することで、当社は世界で初めてGaNパワーエレクトロニクスの量産化を実現する企業となります。これにより、人工知能、エネルギーインフラ、eモビリティ、ロボティクスといった分野の広範な主要アプリケーションにおいて、GaNの普及への道を切り拓きます。この最先端の新しい製造施設は、技術革新におけるリーダーシップを直接的な顧客価値へと変換するものです」

欧州半導体法に基づく支援とオーストリア政府のコミットメント

本プロジェクトには欧州半導体法（European Chips Act）に基づく支援が適用され、欧州委員会は3億1900万ユーロの国家補助（State aid）を承認しました。オーストリア連邦経済・エネルギー・観光省による正式な資金拠出の決定は、所定の期限内に行われる見込みです。欧州委員会の承認は、欧州内での生産能力拡大だけでなく、大学や研究機関との国境を越えた連携、スタートアップや中小企業による革新的技術・製品へのアクセス向上など、関連部門への波及効果ももたらします。

オーストリア連邦首相のChristian Stocker氏は、「Infineonの十億ユーロ規模の投資は、オーストリアのハイテク産業史上最大級の単独投資の1つです。これはビジネス拠点としてのオーストリアへの強力なコミットメントであるだけでなく、半導体産業の未来がアジアや米国だけで形作られるのではなく、オーストリアや欧州でも形作られることを確固たるものにします」と述べています。

オーストリア連邦経済大臣のWolfgang Hattmannsdorfer氏は、「チップはかつての石油と同様に、将来の経済にとって極めて重要です。欧州は現在、世界全体のチップ生産の約10％しか占めていません。この重要技術を欧州内で製造しなければならないことは明らかです。半導体産業の1つの雇用は、広範な経済全体でさらに6つの雇用を生み出すとされています。そのため、所定の基準を満たすことを条件に、Infineonの新しいチップ生産に対して最大3億1900万ユーロを支援する意向です」と述べています。

フィラッハ拠点の役割強化と急拡大するGaN市場

Infineon Technologies AustriaのCEOであるSabine Herlitschka氏は、「競争力と技術主権は、優れた研究が産業的な価値創造に転換される場所から生まれます。オーストリアからイノベーションを産業用途に導入し、技術的リーダーシップを強化して高度な専門職を確保します。これにより、マイクロエレクトロニクスにおける欧州の競争力と戦略的自律性を長期にわたり強化します」と強調しています。

フィラッハ拠点は、パワーエレクトロニクスおよび新半導体材料のグローバルな中核拠点としての役割を強化します。Infineon Austriaは現在約5,800人を雇用しており、そのうち約4,800人がフィラッハ拠点に勤務しています（2025年9月30日時点）。新たな300mm GaN製造工場の設立は、同拠点で行われているパワーエレクトロニクスの研究開発活動との相乗効果も生み出します。

GaNは、電力のスイッチングと変換を大幅に効率化できる先進半導体材料です。電力損失を抑えて発熱を低減することで、より小型で強力かつエネルギー効率の高い電子システムの開発を可能にします。調査会社Yole Groupのレポートによると、GaNパワー半導体の市場規模は2025年から2031年にかけて年平均約35％で成長し、2031年までに約35億米ドルに達すると予測されています。

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