InfineonとSolarEdge、800VDC対応のAIデータセンター向け半導体遮断器で協業を拡大

この記事のポイント

• InfineonとSolarEdgeがAIデータセンターの800VDC配電向けソリッドステート遮断器（SSCB）技術で協業を拡大
• InfineonのCoolSiC™ JFET技術により、機械式遮断器より桁違いに速い数マイクロ秒での障害遮断を実現
• 中電圧系統の受電から演算ラックまでをつなぐ包括的なDCネイティブ電源アーキテクチャの構築を推進

800VDCアーキテクチャに向けた協業の拡大

Infineon TechnologiesとSolarEdge Technologiesは、AIおよびハイパースケールデータセンター向け高電圧DC（直流）配電におけるソリッドステート遮断器（SSCB：Solid-State Circuit Breaker）技術の進化を目指し、協業を拡大することを発表しました。
急速に電力密度が高まるインフラを安全に運用するには、高効率を維持しながら選択遮断を達成するための極めて高速な障害分離が求められます。今回の協業は、800VDCアーキテクチャの導入におけるこの重要な課題に対応するものです。

半導体保護技術への協業拡大により、固体変圧器（SST：Solid-State Transformer）と演算ラックの間の配電レイヤーにおける重要なギャップが解消され、送電網からラックに至る包括的なソリューションが進展します。SolarEdgeがSSCBソリューションの設計を主導し、Infineonは保護デバイスのコアとして炭化ケイ素（SiC）JFET技術を提供します。

DC配電の課題を解決するソリッドステート遮断器

AIの演算密度の急増に伴い、業界では高電圧DC配電への移行が進んでいますが、SSCBは安全かつ信頼性の高い運用を実現する上で最も根本的な課題の1つを解決します。
従来の交流（AC）システムとは異なり、DCの保護には特有の技術的課題が存在します。自然な電流ゼロ点が存在しないDCシステムでは、機械的な遮断を行う際にアーク放電の問題が生じます。また動作が比較的遅いため、従来のACシステムとは異なる回路保護アプローチが必要です。

SSCBは機械的な接点を分離することなく、わずか数マイクロ秒で障害を遮断するように設計されています。これに加えてInfineonのCoolSiC™ JFETデバイスが高効率な動作と優れた堅牢性を提供します。これらの機能が合わさることで、高価な演算機器を保護し、よりコンパクトで高密度なDC配電設計が可能になります。

中電圧系統からラックまでをつなぐDCネイティブ電源

今回の取り組みは、2025年11月に発表されたInfineon製SiCコンポーネントを搭載するSolarEdgeのSSTプラットフォームを直接ベースにしています。このSSTは、13.8〜34.5kVの中電圧から800〜1500VDCへの直接変換を99％以上の効率で実現し、複数の変換ステージを単一のソリューションに統合して設置面積を削減する設計となっています。

SolarEdgeの最高経営責任者（CEO）であるShuki Nir氏は、「800VDCの高密度AIインフラでは、妥協のない効率と保護性能が求められます。ソリッドステート保護は、変換性能を損なうことなく極めて高速で信頼性の高い障害分離を提供し、事業者がその両方を達成できるようにします。Infineonの炭化ケイ素技術こそが、これを大規模に実用化可能にしています」と述べています。

また、Infineonのインダストリアル＆インフラストラクチャ担当エグゼクティブバイスプレジデント兼最高売上責任者（CSO）であるAndreas Weisl氏は、「今日のデータインフラは電気的障害に対してより脆弱になっており、よりスマートで高速、かつ堅牢な配電システムへの需要が高まっています。当社の先進的なSiC JFET技術と、受配電におけるSolarEdgeの専門知識を組み合わせることで、これらの要求に応え、AIデータセンターにおける高速で安全かつ信頼性の高い運用を保証します」と語っています。

SolarEdgeは、DC結合パワーエレクトロニクスにおける15年以上の実績を基盤として、中電圧系統の接続から変換、配電、保護を経て演算ラックへと電力を送る、AIファクトリー向けの800VDCパワートレインを開発しています。Infineonのシリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム（GaN）の幅広いポートフォリオがその基盤を提供し、損失低減、環境負荷の低減、総所有コスト（TCO）の改善を通じてAIインフラの脱炭素化を支援します。

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