キオクシア、AI時代を加速する次世代フラッシュメモリ「BiCS FLASH™ 1Tb TLC」サンプル出荷開始

この記事のポイント

• キオクシアが第9世代BiCS FLASH™ 1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始しました。
• AI搭載PCやスマートフォンなど、低容量～中容量帯で高性能が求められるアプリケーションをターゲットとしています。
• 革新的な技術により、投資コストを抑えつつ高性能を実現しています。
• NANDインターフェース速度は第8世代比で33％向上し、4.8Gb/秒を実現します。
• AIインフラを支える製品として、今後の技術革新に期待がかかります。

キオクシア、高性能フラッシュメモリのサンプル出荷を開始

キオクシア株式会社は、革新的な第9世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術を適用した、1Tb（テラビット）TLC（Triple-Level-Cell、3ビット/セル）製品のサンプル出荷を開始しました。この新製品は、特にAI搭載PCやスマートフォンなど、限られた容量でありながら高い性能が要求されるアプリケーションを主なターゲットとしています。

二軸開発戦略による高性能化とコスト最適化

キオクシアは、独自の二軸開発戦略を推進しています。これは、革新的なCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術とOn Pitch Select Gate Drain（OPS）技術を活用し、既存世代のメモリセル技術と最新のCMOS技術を融合させるものです。これにより、投資コストを抑制しながらも高い性能を実現する製品群（第9世代）と、積層数を増加させて大容量かつ高性能を追求する製品群（第10世代）を展開しています。

第9世代BiCS FLASH™の主な特長

今回サンプル出荷が開始された製品は、第8世代の技術をベースとしながら、230層積層プロセスのメモリセル技術と最新のCMOS技術を採用しています。この組み合わせにより、NANDインターフェース速度は、第8世代と比較して第10世代と同等の33％向上となる4.8Gb/秒を実現しました。これは、AI処理の高速化やスマートフォンの応答性向上に大きく貢献する数値です。

AI時代を支えるキオクシアの挑戦

キオクシアは、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、今後もグローバルなパートナーシップを強化し、さらなる技術革新を追求していきます。AIインフラを支える高性能な製品群を提供し続けることで、テクノロジーの進化に貢献していく方針です。

注記:

• 本サンプルは製品評価を目的としており、量産品とは仕様が異なる場合があります。
• ウエハーボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーを貼り合わせる技術。第8世代より採用。
• 未使用のメモリホールを削除することにより、ビットラインを短くし、ワードラインの容量を減少させることが可能となる技術。第8世代より採用。
• 1Gb/秒を1,000,000,000 ビット/秒として計算しています。各値は特定の試験環境及び条件により得られた値であり、使用する機器等の条件などによって変化します。
• 製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様を確認ください。（メモリ容量は1ギガビットを1,073,741,824 ビットとして計算しています。）
• リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
• 記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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