米ITC、InfineonのGaN特許侵害を認定　Innoscience製品の輸入・販売を禁止

この記事のポイント

• 米ITCがInfineonの主張を支持し、InnoscienceによるGaN特許侵害を認定
• 米国へのInnoscience製GaN製品に対する輸入禁止令および販売禁止令を発出
• 最終決定および禁止令は60日間の米大統領による審査期間の対象
• ドイツ・ミュンヘン地方裁判所でも並行して複数の特許侵害訴訟が進行中

米ITC、Innoscienceに対する輸入・販売禁止命令を発令

米国際貿易委員会（ITC）の全委員会（Full Commission）は、Innoscienceが窒化ガリウム（GaN）技術に関するInfineonの特許を侵害したとする2025年12月の仮決定を支持し、Innoscienceに対する輸入および販売禁止令を発出しました。ITCの最終決定および禁止令は、米国大統領による60日間の審査期間の対象となります。

Infineonのシニアバイスプレジデント兼GaN Systemsビジネスライン責任者であるJohannes Schoiswohl氏は次のように述べています。
「今回の決定は、Infineonの知的財産の強固さを改めて浮き彫りにするものです。当社の特許ポートフォリオを積極的に保護し、業界における公正な競争を維持するという当社の取り組みを強化します。業界をリードする当社の300ミリメートルGaN製造により、イノベーションを拡大し、脱炭素化とデジタル化を加速させるために顧客が必要とする性能、品質、コストの優位性を提供できる独自の位置にあります」

ドイツでも並行して特許訴訟が進行

今回の判断は、GaN技術に対するInfineonの貢献価値を裏付けるものです。ドイツでの並行訴訟において、Infineonはミュンヘン第1地方裁判所（Landgericht München I）にて3件の特許と1件の実用新案の侵害を主張しています。すでに2025年8月、同裁判所はInnoscienceによるInfineonの1件目の特許侵害を認定しました。別の特許および実用新案に関する公判は2026年6月に予定されています。

GaNパワー半導体市場におけるInfineonの優位性

Infineonは、約450件のGaN特許ファミリーで構成される業界随一のIPポートフォリオを保有する、GaN市場の有力なIDM（垂直統合型半導体メーカー）です。

GaNは、再生可能エネルギーシステム、AIデータセンター、産業オートメーション、電気自動車（EV）など、幅広いアプリケーションにおいて高性能かつ高エネルギー効率のパワーシステムを実現する上で極めて重要な役割を果たします。高い電力密度、高速なスイッチング速度、低い電力損失を備えたGaN半導体は、機器の小型化を可能にし、消費電力と発熱を低減します。パワーシステムのリーダーとして、Infineonはシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）という関連する3つの材料すべてを習得しています。

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