オキサイド発「溶液法SiC」始動──8インチ対応が動かす次の基板競争
2025年9月25日、日本の単結晶・光部品・レーザ光源・光計測装置などを開発・製造・販売する企業、オキサイドと子会社オキサイドパワークリスタルは、名古屋大学らと共同で「溶液成長法（液相成長法）」によ
オンセミが切り拓く「縦型GaN時代」――AI・EV・再エネを支える高電圧パワー半導体の新潮流
2025年10月、米国の半導体大手Onsemi（オンセミ）が「縦型GaN（vGaN）パワー半導体」の開発を発表した。従来のGaNデバイスで課題とされてきた高電圧対応や熱・損失管理、電力密度向上に対し
東大と住友電工、“6G向けGaN”実現で一歩前進！──高周波デバイスの性能向上に光明
2025年7月、東京大学大学院工学系研究科と住友電気工業は、新しい窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明したと発表した。対象となったのは、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガ
GFシンガポールが「第4次産業革命をリードする工場」に選ばれたわけとは！？
2025年9月16日、GlobalFoundries（GF）のシンガポール工場「Fab 7」が、世界経済フォーラム（WEF）のGlobal Lighthouse Network（GLN：製造業で第4
夜でも逆光でも識別できる”——スマートカメラが導く半導体の次世代設計
ドライブレコーダや見守りカメラは、逆光、夜間、LED点滅、被写体の高速移動での撮影が主になる。その際、被写体のナンバー、顔、動線がくっきりと「読める」ように撮影できるかどうかが、その製品の製品価値に
Lam Researchが切り拓く3D構造時代 Etch＆Dep装置の革新の数々
デバイス構造の3次元化は、今や半導体産業の主戦場と言える。3D NANDはすでに300層を超え、さらなる高密度化に向けて1,000層を視野に入れた開発が加速している。ロジック側でもFin FETの限
微細化限界に挑むSCREENの「SU-3400」 ウェハ洗浄が支える次世代デバイス製造の要素技術とは
サブ10nm世代に突入した現在、半導体の製造工程ではこれまで以上に高精度な洗浄が求められている。特に注目されているのが、露光・エッチング後に行われる「ウェハ洗浄」工程だ。 (さらに&hell
EUV 露光の「欠陥制御」最前線 ライン稼働率を左右する検査・補正技術の進化とは
今、半導体製造の最先端では「見えない欠陥」との戦いが熾烈を極めている――。EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）リソグラフィは、波長13.5nm の極めて短い光を用いて、2nm
AI 時代を支える「進化系メモリ」 もはや「単体部品」ではなく、システム全体の設計要素へ
近年の高度な人工知能（AI）の進化により、生成 AI や自動運転、映像解析などにおいて膨大なデータを一瞬で処理する能力が求められている。こうした処理の中核となるのが当然、AI チップであり、その性能
3D-IC 実装に伸し掛かる大きな課題 熱シミュレーションの盲点と解決策
近年、生成 AI や高性能サーバーの需要拡大に伴い、3D-IC（3 次元集積回路）と呼ばれる次世代チップ構造が主流になりつつある。これは、従来の平面的なチップ（2D）を縦方向に積み重ねる技術で、同じ
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