iSuppli によると、窒化ガリウム (GaN) 電力管理半導体市場は、高性能サーバー、ラップトップ、携帯電話、有線通信の急速な成長に牽引され、2010 年の事実上ゼロから 2013 年までに 1 億 8,360 万ドルに達すると予測されています。電力管理チップの新しいプロセス技術である GaN は、最近、大学の実験段階から商用化へと移行しました。この技術は、現在の半導体材料では実現できない可能性のあるパフォーマンスを提供することで、サプライヤーにとって魅力的な市場機会を提供します。iSuppli は、過去 2 年間で GaN が電力管理半導体分野の有望な新星として台頭した要因がいくつかあると考えています。第 1 に、シリコンが電力管理半導体での実用的な限界に達したこと。第 2 に、シリコン上に GaN 層を成長させる技術が飛躍的に進歩したことです。電源設計者は、より効率的なシステムの開発や、消費電力の少ない高電圧製品のアップグレードも検討しています。部品サプライヤーは GaN デバイスの提供を開始しています。例えば、International Rectifier 社は 2 月に同社初の GaN ポイントオブロード (POL) ソリューションを発売し、GaN 技術に多額の投資を行っている Efficient Power Conversion Corp. (EPCC) 社は今月 10 種類のパワー MOSFET デバイスを発売しました。図 3 は、iSuppli 社による 2008 年から 2013 年までの GaN 電源管理チップの売上予測を示しています。GaN 材料は効率を改善しデバイス サイズを縮小するという利点があり、これらの利点が GaN デバイスの採用拡大を促進するでしょう。これらの利点は、モバイル PC やスマートフォンなどのポータブル電子製品に非常に望ましいものです。GaN デバイスは、エンタープライズ サーバーや有線通信インフラストラクチャなどの電力集約型電子デバイスにも多くの利点を提供します。ただし、GaN 材料の使用コストが高いため、これらのアプリケーションにおける GaN 技術の採用は 2010 年と 2011 年には比較的遅くなります。2012 年と 2013 年の技術の進歩と GaN デバイスの製造コストの低下により、GaN は従来の MOSFET、ドライバ IC、電圧レギュレータ IC から市場シェアを奪い始めるでしょう。サーバーは常に高性能デバイスを必要とし、性能向上につながる新技術を最初に採用する製品分野となることが多いため、GaNデバイスが最初に採用される可能性が高いと考えられます。今後3年間は、省電力化と小型化のためにGaNに大きく依存するノートパソコンがGaNデバイス出荷の主な牽引役となるでしょう。
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