半導体および電子デバイス技術、設計、製造、物理学、モデリングの分野における最先端の技術的進歩が報告される世界最大の国際学会IEDM （the IEEE International Electron Devices Meeting）が、12月6日から10日までカリフォルニア州サンフランシスコで開催されます。
東京エレクトロン(TEL)からは3名が登壇いたします。皆さまのご来場をお待ちしております。
SC2-5 | Process and Material Innovations for Memory Scaling
Sunday, December 7 • 4:00 PM – 5:00 PM PST
Noboru Ooike, Tokyo Electron
4 | RSD | Ferroelectric Memory Reliability
Monday, December 8 • 1:30 PM – 5:20 PM PST
Motoyuki Sato, Tokyo Electron
19 | ALT | Transistors with 2D, Oxide Semiconductor, Novel Materials
Tuesday, December 9 • 2:15 PM – 6:05 PM PST
Koji Watanabe, Tokyo Electron
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